Вышедшие номера
Структурные изменения в поверхностных слоях сапфира при длительной экспозиции в высокочастотном разряде в смеси Н2--Nе
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation., Surface phenomena in colloidal-dispersed systems, physical and chemical mechanics, adsorption and chromatographic processes, 122011300053-8
Городецкий А.Е.1, Маркин А.В.1, Буховец В.Л.1, Рыбкина Т.В.1, Залавутдинов Р.Х.1, Захаров А.П.1, Мухин Е.Е.2, Раздобарин А.Г.2
1Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avmarkin@mail.ru, utqexplorer@gmail.com, labrchs@hotmail.com, rinadz@mail.ru, azakharov@ipc.rssi.ru, e.mukhin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2024 г.
Принята к печати: 8 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 14 октября 2024 г.

Исследованы изменения в структуре поверхностных слоев и пропускании света после ионного распыления пластин сапфира в высокочастотном разряде в смеси 77%H2-23%Ne. После удаления слоя толщиной 270 nm первичные внутренние напряжения сохранились, но в поверхностном слое толщиной до 40 μm произошли развороты отдельных блоков и выход их из брэгговского положения. Состав поверхностного слоя толщиной 1-2 nm соответствовал соединению α-Al2O3. Пропускание света в интервале длин волн 400-1000 nm осталось неизменным. Стабильность светопропускания пластин Al2O3 позволяет использовать сапфир в качестве окна для защиты первого зеркала систем сбора света оптических диагностик плазмы в термоядерных установках и токамаке ИТЭР. Ключевые слова: сапфир, высокочастотный разряд, водород, неон, структура поверхностного слоя, пропускание света, ИТЭР.