Поступила в редакцию: 19 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 11 июля 2024 г.
Принята к печати: 11 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 14 октября 2024 г.
Методом функционала плотности показано, что отрицательно заряженные кремниевые вакансии в карбиде кремния, получаемом из кремния по вакансионному механизму согласованного замещения атомов, притягиваются друг другу во всех трех эквивалентных направлениях < 110>. Природа притяжения состоит в том, что атомы углерода с оборванными связями, отталкиваясь от вакансий, сближаются друг с другом, образуя новые связи C-C. В результате кремниевые вакансии выстраиваются в вакансионные нити в направлениях семейства < 110>, что существенно понижает общую энергию. Установлено также, что уменьшение длины растянутых связей C-C при локализации электронов приводит к эффекту отрицательной корреляционной энергии электронов (negative-U), локализованных на вакансиях. Перечисленные эффекты ответственны за аномальное поведение магнитной восприимчивости данного материала. Ключевые слова: карбид кремния, кремниевые вакансии, отрицательная корреляционная энергия, магнитный момент.
- J. Fan, P.K. Chu, Silicon carbide nanostructures: fabrication, structure, and properties (Springer, Heidelberg, 2014)
- T. Kimoto, J.A. Cooper, Fundamentals of silicon carbide technology (Wiley, Singapore, 2014)
- L. Gordon, A. Janotti, C.G. Van de Walle, Phys. Rev. B, 92, 045208 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.92.045208
- K. Mochizuki, Vertical GaN and SiC power devices (Artech House, Norwood, 2018)
- Wide bandgap semiconductors, ed. by K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu (Springer, Berlin, 2007)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, ЖОХ, 92 (4), 547 (2022). DOI: 10.31857/S0044460X22040023 [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Russ. J. Gen. Chem., 92, 584 (2022). DOI: 10.1134/S1070363222040028]
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Конденсированные среды и межфазные границы, 24 (4), 407 (2022). DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/10549
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Physica B, 512, 26 (2017). DOI: 10.1016/j.physb.2017.02.018
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Materials, 15, 4653 (2022). DOI: 10.3390/ma15134653
- A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Redkov, Catal. Today, 397- 399, 375 (2022). DOI: 10.1016/j.cattod.2021.08.012
- N. Iwamoto, B.G. Svensson, Semicond. Semimet., 91, 369 (2015). DOI: 10.1016/bs.semsem.2015.02.001
- M. Bockstedte, A. Mauttausch, O. Pankratov, Phys. Rev. B, 68, 205201 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevB.68.205201
- E.M.Y. Lee, A. Yu, J.J. de Pablo, G. Galli, Nature Commun., 12, 6325 (2021). DOI: 10.1038/s41467-021-26419-0
- G. Kresse, D. Joubert, Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.59.1758
- J.G. Lee, Computational materials science (CRS Press, Boca Raton, 2017)
- G. Kresse, J. Furthmuller, Phys. Rev. B, 54, 11169 (1996). DOI: 10.1103/PhysRevB.54.11169
- Г.В. Бенеманская, П.А. Дементьев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Тимошнев, Письма в ЖТФ, 45 (5), 17 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.05.47390.17621 [G.V. Benemanskaya, P.A. Dement'ev, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Timoshnev, Tech. Phys. Lett., 45, 201 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019030039]
- P.W. Anderson, Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975). DOI: 10.1103/PhysRevLett.34.953
- Н.Т. Баграев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, В.В. Романов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.С. Хромов, ФТП, 55 (2), 103 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50493.9538 [N.T. Bagraev, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.V. Romanov, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.S. Khromov, Semiconductors, 55, 137 (2021). DOI: 10.1134/S106378262102007X]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.