Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 2 » Статья стр. 55
<<<>>>
Получение и характеризация массивов Si-вискеров, покрытых SiC на остриях
This study was carried out within the state assignment for the National Research Centre “Kurchatov Institute.”
Волчков И.С. 1, Буташин А.В. 1, Гиваргизов М.Е.1, Дерябин А.Н.1, Каневский В.М. 1
1Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: volch2862@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 августа 2024 г.
В окончательной редакции: 5 сентября 2024 г.
Принята к печати: 17 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 17 января 2025 г.
PDF версия
Получены массивы Si-вискеров двух типов (с упорядоченной "классической" и "треугольной" структурой), покрытых на остриях тонким слоем кубического политипа SiC (3C-SiC). Результаты рентгенофазового анализа, энергодисперсионной спектроскопии и рамановской спектроскопии свидетельствуют об образовании тонкого слоя указанного политипа SiC на верхушках Si-вискеров, а также о наличии свободного фуллереноподобного углерода. На образцах с треугольной структурой, где часть поступающего пара Si уходит на пленочный рост по механизму пар-кристалл, наблюдается более интенсивное образование оксида кремния (SiO2), а также поликремниевых кислот, что связано с большей свободной площадью активной поверхности Si-подложки. Ключевые слова: карбид кремния, вискеры, рамановская спектроскопия.
  1. V. Cimalla, J. Pezoldt, O. Ambacher, J. Phys. D: Appl. Phys., 40 (20), 6386 (2007). DOI: 10.1088/0022-3727/40/20/S19
  2. M. Agati, S. Boninelli, C. Calabretta, F. Mancarella, M. Mauceri, D. Crippa, M. Albani, R. Bergamaschini, L. Miglio, F. La Via, Mater. Des., 208, 109833 (2021). DOI: 10.1016/j.matdes.2021.109833
  3. Y.S. Wang, X.Z. Wang, Ceram. Int., 48 (17), 24571 (2022). DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.05.101
  4. K. Wang, H. Wang, C. Chen, W. Li, L. Wang, F. Hu, F. Gao, W. Yang, Z. Wang, S. Chen, ACS Appl. Mater. Interfaces, 15 (19), 23457 (2023). DOI: 10.1021/acsami.3c02540
  5. K. Kishida, Y. Shinkai, H. Inui, Acta Mater., 187, 19 (2020). DOI: 10.1016/j.actamat.2020.01.027
  6. S. Smirnov, D. Vichuzhanin, A. Nesterenko, A. Smirnov, N. Pugacheva, A. Konovalov, Int. J. Mater. Form., 10 (5), 831 (2017). DOI: 10.1007/s12289-016-1323-6
  7. L.C. Hwa, S. Rajoo, A.M.Noor, N. Ahmad, M.B. Uday, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 21 (6), 323 (2017). DOI: 10.1016/j.cossms.2017.08.002
  8. H. Nagasawa, M. Abe, K. Yagi, T. Kawahara, N. Hatta, Phys. Status Solidi B, 245 (7), 1272 (2008). DOI: 10.1002/pssb.200844053
  9. G. Pensl, M. Bassler, F. Ciobanu, V. Afanas'ev, H. Yano, T. Kimoto, H. Matsunami, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 640, 32 (2001). DOI: 10.1557/PROC-640-H3.2
  10. G.Z. Yang, H. Cui, Y. Sun, L. Gong, J. Chen, D. Jiang, C.X. Wang, J. Phys. Chem. C, 113 (36), 15969 (2009). DOI: 10.1021/jp906167s
  11. Z.J. Li, K.H. Li, G.Y. Song, G.H. Qiu, L.N. Yang, A.L. Meng, J. Mater. Chem. C, 6 (24), 6565 (2018). DOI: 10.1039/C8TC01474D
  12. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  13. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 46 (22), 3 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50298.18439 [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Tech. Phys. Lett., 46 (11), 1103 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020110243]
  14. A. Severino, C. Locke, R. Anzalone, M. Camarda, N. Piluso, A. La Magna, S.E. Saddow, G. Abbondanza, G. D'Arrigo, F. La Via, ECS Trans., 35 (6), 99 (2011). DOI: 10.1149/1.3570851
  15. J. Yamasaki, S. Inamoto, Y. Nomura, H. Tamaki, N. Tanaka, J. Phys. D: Appl. Phys., 45 (49), 494002 (2012). DOI: 10.1088/0022-3727/45/49/494002
  16. F. Iacopi, G. Walker, L. Wang, L. Malesys, S. Ma, B.V. Cunning, A. Iacopi, Appl. Phys. Lett., 102 (1), 011908 (2013). DOI: 10.1063/1.4774087
  17. Е.И. Гиваргизов, Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (Наука, М., 1977)
  18. E.I. Givargizov, M.E. Givargizov, V.I. Ershov, N.I. Manshina, patent US 6816791 B1 (01.03.2005)
  19. E.I. Givargizov, A.N. Stepanova, L.L. Aksenova, E.V. Rakova, J.L. Hatchison, N.A. Kiselev, E.S. Mashkova, V.A. Molchanov, Cryst. Rep., 47, S159 (2002). DOI: 10.1134/1.1529970
  20. A. Alessi, G. Iovino, G. Buscarino, S. Agnello, F.M. Gelardi, J. Phys. Chem. C, 117 (6), 2616 (2013). DOI: 10.1021/jp310314t
  21. Q. Wen, Y. Feng, Z. Yu, D.-L. Peng, N. Nicoloso, E. Ionescu, R. Riedel, J. Am. Ceram. Soc., 99 (8), 2655 (2016). DOI: 10.1111/jace.14256

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme