Обнаружено влияние постоянного магнитного поля на спектры фотолюминесценции в монокристаллах фосфида галлия. Установлено, что предварительная экспозиция кристаллов GaP в постоянном магнитном поле (B<0.5  T) при комнатной температуре приводит к увеличению интенсивности полосы люминесценции с максимумом при λ=565 nm при воздействии на кристалл лазера с длиной волны 405 nm и мощностью не более 10 mW. При этом время релаксации полосы к исходному состоянию не превышало 3 h. Наблюдаемые особенности авторы связывают с влиянием магнитного поля как на скорость интеркомбинационной конверсии (S₁-> T₁) в кристаллах GaP, так и на переход комплексов фосфида галлия с азотом в возбужденное состояние. Ключевые слова: фосфид галлия, постоянное магнитное поле, люминесценция, релаксация, интеркомбинационная конверсия.