Храмов А.Е.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
7
Короновский А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
6
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
4
Ломаев М.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Дубровский В.Г.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН"
4
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН"
4
Павлов А.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
4
Калинин Ю.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Бобашев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3
Куперштох А.Л.
Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, Новосибирск University of Patras, GR, Rion, Greece
3
Каманина Н.В.
ФГУП "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ("ЛЭТИ") ООО "ПЛАЗМАС", С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики ("ИТМО")
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал)
3
Пономаренко В.И.
Таврический национальный университет, Симферополь, Украина
3
Кузнецов А.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
3
Коровин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3
Морозов А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Бугрова А.И.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
3
Бандуркин И.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Савилов А.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Орлов А.М.
Ульяновский государственный университет
2
Семенцов Д.И.
Ульяновский государственный университет
2
Егоров А.Ю.
С.-Петербургский государственный политехнический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Бондаренко О.В.
С.-Петербургский государственный политехнический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Вендик О.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Рехвиашвили С.Ш.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Университет г. Поханг, Республика Корея
2
Пашковский А.Б.
Федеральное государственное унитарное предприятие НПП "Исток", Фрязино, Моск. обл.
2
Ишков А.В.
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Сагалаков А.М.
Алтайский государственный университет, Барнаул
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН" Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН" Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
2
Музюкин И.Л.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Барахвостов С.В.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Соколов Ю.В.
Воронежский государственный университет
2
Вайнштейн И.А.
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
2
Яковленко С.И.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2
Дубинова И.Д.
ФГУП "Российский федеральный ядерный центр --- ВНИИ экспериментальной физики"
2
Дубинов А.Е.
ФГУП "Российский федеральный ядерный центр --- ВНИИ экспериментальной физики"
2
Скакун В.С.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Шитц Д.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Акчурин Г.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Менде Н.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Шмидт А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов В.Л.
Берлинский технический университет, Германия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
2
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
2
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
2
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
2
Симаков В.В.
Саратовский государственный технический университет ООО "Синтез", Саратов
2
Якушева О.В.
Саратовский государственный технический университет ООО "Синтез", Саратов
2
Гребенников А.И.
Саратовский государственный технический университет ООО "Синтез", Саратов
2
Кисин В.В.
Саратовский государственный технический университет ООО "Синтез", Саратов
2
Кульков С.Н.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Шпак В.Г.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Скворцов А.А.
Ульяновский государственный университет
2
Рыбин В.В.
Ульяновский государственный университет
2
Прохоров М.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
2
Аульченко С.М.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
2
Замураев В.П.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
2
Калинина А.П.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
2
Тутов Е.А.
Воронежский государственный университет
2
Завьялов Д.В.
Волгоградский государственный педагогический университет
2
Крючков С.В.
Волгоградский государственный педагогический университет
2
Ганжерли Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Черных Д.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кикин П.Ю.
Институт машиноведения РАН (Нижегородский филиал), Нижний Новгород
2
Перевезенцев В.Н.
Институт машиноведения РАН (Нижегородский филиал), Нижний Новгород
2
Пчелинцев А.И.
Институт машиноведения РАН (Нижегородский филиал), Нижний Новгород
2
Русин Е.Е.
Институт машиноведения РАН (Нижегородский филиал), Нижний Новгород
2
Байков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Безуглый Б.А.
Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия
2
Снеткова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НИИ физики Ростовского государственного университета, Ростов-на-Дону
2
Теруков Е.И.
Российский государственный педагогический университет, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Павлова О.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Климов А.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Ростов В.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Зильбербранд Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт геологии и геохронологии докембрия РАН, С.-Петербург
2
Румянцев Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт геологии и геохронологии докембрия РАН, С.-Петербург
2
Толкачев М.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт геологии и геохронологии докембрия РАН, С.-Петербург
2
Бишаев А.М.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
2
Липатов А.С.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
2
Козинцева М.В.
РНЦ "Курчатовский институт" Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) --- МИРЭА (ТУ)
2
Бакшт Е.Х.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Рыбка Д.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Рандошкин В.В.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
2
Васильева Н.В.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
2
Колобанов В.Н.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
2
Михайлин В.В.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
2
Петровнин Н.Н.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
2
Спасский Д.А.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
2
Сысоев Н.Н.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
2
Веретеха А.В.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Калиникос Б.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
2
Горбатюк А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Зубарева О.В.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Кузнецова И.Е.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Россия Marquette University, EECE Dept., Milwaukee, WI--, USA
2
Зайцев Б.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Россия Marquette University, EECE Dept., Milwaukee, WI--, USA
2
Джоши С.Г.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Россия Marquette University, EECE Dept., Milwaukee, WI--, USA
2
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
2
Толстобров Ю.В.
Бийский педагогический государственный университет им. В.М. Шукшина
2
Манаков Н.А.
Бийский педагогический государственный университет им. В.М. Шукшина
2
Андриеш А.М.
Центр оптоэлектроники Института прикладной физики АН Республики Молдова
1
Бивол В.В.
Центр оптоэлектроники Института прикладной физики АН Республики Молдова
1
Коротков П.К.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик Северо-Кавказский горно-металлургический институт (ГТУ), Владикавказ
1
Томаш Ян
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Технический университет Брно, Чехия
1
Дронов М.А.
Воронежский государственный университет
1
Кавецкая Т.В.
Воронежский государственный университет
1
Васильева Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет Джона Гопкинса, Лаурел, Мэриленд, США
1
Козлов Е.А.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Железнов Ю.А.
Центр научного приборостроения Института электрофизики и электроэнергетики РАН, Москва
1
Потанахина Л.Н.
Ульяновский государственный университет
1
Колешко В.М.
Белорусский национальный технический университет, Минск
1
Гулай А.В.
Белорусский национальный технический университет, Минск
1
Пейкришвили М.Д.
Тбилисский государственный университет, Грузия
1
Пайзуллаханов М.С.
Институт материаловедения, научно-производственное объединение ”Физика−Солнце“ АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Файзиев Ш.А.
Институт материаловедения, научно-производственное объединение ”Физика−Солнце“ АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Баженова Т.В.
Институт теплофизики экстремальных состояний объединенного института высоких температур РАН, Москва
1
Глазунова Е.В.
Могилевский государственный университет им. А.А. Кулешова, Белорусь
1
Данилов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Наседкина Ю.Ф.
Ульяновский государственный университет
1
Корольков В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лодыгин А.Н
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гладышев А.Г.
С.-Петербургский государственный политехнический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Марчук И.В.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Борисенко Е.А.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Беляев А.П.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
ФГУП "Центральный научно-исследовательский институт материалов", С.-Петербург
1
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
ФГУП "Центральный научно-исследовательский институт материалов", С.-Петербург
1
Киштикова Е.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
1
Козак М.И.
Ужгородский национальный университет, Украина
Институт электронной физики НАН Украины
1
Жихарев В.Н.
Ужгородский национальный университет, Украина
Институт электронной физики НАН Украины
1
Алиев А.М.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Батдалов А.Б.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Брагов А.М.
Научно-исследовательский институт механики Нижегородского университета
1
Яковлев В.И.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
1
Земсков Ю.А.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Попко Е.А.
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
1
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ "Центротех", С.-Петербург, Россия Институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Лен. обл., Гатчина, Россия VITCON Projectconsult Gmbh, Jena, Germany Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Буланов А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ "Центротех", С.-Петербург, Россия Институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Лен. обл., Гатчина, Россия VITCON Projectconsult Gmbh, Jena, Germany Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Скорятина Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Усачева В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сидняев Н.И.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
1
Лисенко А.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Акчурин А.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Пазгалев А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
1
Петелин М.И.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Fernandez Curto A.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шимон Л.Л.
Ужгородский национальный университет, Украина
1
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Samsung Electron-Mechanics Co., Ltd, Suwon, Gyunggi-Do, Korea
1
Смирнов С.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Samsung Electron-Mechanics Co., Ltd, Suwon, Gyunggi-Do, Korea
1
Журкин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр" РАН
1
Трушин Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр" РАН
1
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
1
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
1
Литвинов Е.А.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Григорьев Л.В.
НИИ физики им. В.А. Фока, СПбГУ, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Шагаев В.В.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал, Калуга, Россия
1
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет
1
Кардашев Б.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. академика А.А. Бочвара, Москва
1
Нефагин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. академика А.А. Бочвара, Москва
1
Смирнов Д.А.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
1
Готлиб В.А.
Институт проблем механики РАН, Москва, Россия Холонский академический институт технологии,, Холон, Израиль
1
Лисовенко Д.С.
Институт проблем механики РАН, Москва, Россия Холонский академический институт технологии,, Холон, Израиль
1
Бизяев Д.А.
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
1
Лятти М.В.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
1
Марышев С.Н.
Институт радиотехники и электроники РАН, Ульяновский филиал института радиотехники и электроники РАН
1
Буренков П.Н.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
1
Озур Г.Е.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Попов С.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Шабанов А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Красноярский государственный технический университет
1
Зырянов В.Я.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Красноярский государственный технический университет
1
Соколов И.А.
Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
1
Тимофеева М.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Давидович М.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Раков В.В.
Институт химических проблем микроэлектроники (ИХПМ), Москва
1
Чурин С.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Мишагин К.Г.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Теплых А.А.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Россия Marquette University, EECE Dept., Milwaukee, WI--, USA
1
Грабовая И.А.
Ужгородский национальный университет, Украина
1
Hatanaka Y.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Aichi University of Technology, Gamagouri, Aichi 433, Japan
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Japan
1
Грикуров В.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт физики С.-Петербургского государственного университета
1
Нестеров С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт физики С.-Петербургского государственного университета
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук