Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 11
Неймаш В.Б., Саган Т.Р., Цмоць В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л.
О некоторых механизмах влияния тепловой предыстории на поведение параметров кремния под облучением
1857
Неймаш В.Б., Саган Т.Р., Цмоць В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л., Штым В.С.
Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в кремнии
1864
Гергель В.А., Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Родионов А.В., Тарнавский С.П., Федоренко А.В.
Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе delta-легированных структур
1870
Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Касимова Г.А.
Инжекционные токи и термополевой эффект Пула-Френкеля в монокристаллах твердых растворов (Ga
2
S
3
)
1-x
(Eu
2
O
3
)
x
1877
Голик Л.Л., Кунькова З.Э.
О механизме фотопроводимости кристаллов магнитного полупроводника CdCr
2
Se
4
1883
Бычковский Д.Н., Константинов О.В., Панахов М.М.
Вольт-фарадная характеристика m-s-структур с изотипным гетеропереходом
1889
Макарова Т.Л., Шаронова Л.В.
Эллипсометрический анализ структуры GaAs-анодный окисел
1899
Иванов П.А., Царенков Б.В.
SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота-мощность
1913
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Спектральная чувствительность m-s-структуры
1922
Вейс А.Н.
Влияние обменного взаимодействия электронов на параметры зонной структуры и примесных состояний в селениде свинца
1934
Пенин Н.А.
Оптическая и тепловая стимуляция примесной фотопроводимости при оптическом возбуждении примесных атомов в полупроводниках
1941
Булах Б.М., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е., Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Малыш Н.И., Сергеев С.О., Шейнкман М.К.
Влияние отжига в парах собственных компонентов на поглощение света в области урбаховского края CdSe
1946
Бахадырханов М.К., Миркамилова М.С., Шустров В.А.
Определение профиля концентрации марганца и никеля, имплантированных в кремнии
1952
Ашмонтас С., Валушис Г., Либерис Ю., Субачюс Л.
Охлаждение электронов и шумы в греющих электрических полях
1957
Георгицэ Е.И., Гуцуляк Л.М., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У.
Фотолюминесценция антимонида галлия, легированного марганцем
1960
Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин А.А., Осипов Е.Б., Седов В.Е., Цацульников А.Ф.
Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений акцептора Au
0
Ga
в GaAs при низких температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации
1967
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Осипов Е.Б., Седов В.Е., Смирнов Н.А., Цацульников А.Ф.
Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs
1976
Гершензон Е.М., Грачев С.А., Литвак-Горская Л.Б.
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе
1986
Андерсен Г.Ю., Гусев О.К., Заитов Ф.А., Киреенко В.П., Яржембицкий В.Б.
Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в p-InAs
1999
Винокуров Л.А., Фукс В.И.
Нелинейный фотоотклик в примесных фотопроводниках
2003
Каплан Б.И., Малютенко В.К., Щедрин А.И.
Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы
2011
Молоцкий М.И., Попов Г.Г.
Электронное взаимодействие примеси на дислокации
2014
Гельмонт Б.Л., Зегря Г.Г.
Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера
2019
Георгицэ Е.И., Гуцуляк Л.М., Иванов-Омский В.И., Мастеров В.Ф., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У.
Влияние концентрации марганца на спектр фотолюминесценции GaSb
2024
Богданов Е.В.
Эффект Сасаки-Шибуи в многодолинных узкощелевых полупроводниках Bi
1-x
Sb
x
2028
Комиренко Р.П., Литвиненко С.В., Скрышевский В.А., Стриха В.И., Кочка Я., Стухлик И.
Структуры a-Si : H/Si с перестраиваемой областью спектральной чувствительности
2034
Молдовян Н.А., Радауцан С.И., Тигиняну И.М.
Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов ZnAl
2(1-x)
Ga
2x
S
4
2038
Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Стряхилев Д.А.
Оптические свойства пленок a-Si : H, легированных азотом, и дефектные состояния в них
2040
Аскеров И.М., Айдаев Ф.Ш., Асланов Г.К., Мастеров В.Ф., Тагиев Б.Г.
Люминесценция примесных центров Eu и Mn в монокристаллах Ga
2
S
3
(Se
3
)
2042
Горнушкина Е.Д., Дидик В.А., Козловский В.В., Малкович Р.Ш.
Распределение фосфора, созданного в кремнии облучением высокоэнергетичными alpha-частицами
2044
Константинова Н.Н., Магомедов М.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотоактивное поглощение в тонких пленках CuInSe
2
2047
Якименко А.Н.
Механизм генерации заряда в МДП структурах через поверхностные состояния
2050
Алиев М.И., Халилов Х.А., Рашидова Ш.Ш., Алиев И.М.
Влияние разупорядоченности на глубокие центры в кристаллах Ga
1-x
In
x
As и GaAs
2054
Юрий Михайлович Таиров (к 60-летию со дня рождения)
2055
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук