Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 5
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (К 80-летию со дня рождения)
769
Регель А.П., Глазов В.М.
Энтропия плавления полупроводников
780
Глазов В.М., Кольцов В.Б.
Жидкие полупроводники с вырожденным электронным газом
806
Богомолов В.Н., Павлова Т.М.
Трехмерные кластерные решетки
826
Соколов В.И.
Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация)
842
Смирнов И.А., Попов В.В., Голубков А.В., Гольцев А.В., Буттаев Б.М.
Электрические свойства и фазовые переходы в системах Tm
1-x
Sm
x
S и Tm
1-x
La
x
S
857
Равич Ю.И., Иванов Ю.В., Рапопорт А.В.
Термогальваномагнитные эффекты в висмуте
884
Бойков Ю.А., Гольцман Б.М., Данилов В.А.
Некоторые пути повышения эффективности полупроводниковых термоэлектрических материалов
895
Горнушкина Е.Д., Малкович Р.Ш.
Диффузия примеси в полупроводнике в двух состояниях, различающихся коэффициентами диффузии и степенью ионизации примесных атомов
908
Андреев А.А.
Основополагающие работы А.Р. Регеля по жидким полупроводникам и современное состояние вопроса
924
Куликов Г.С., Малкович Р.Ш.
Взаимодействие атомной и электронно-дырочной подсистем и роль точечных дефектов при диффузии в полупроводниках
937
Зайцев В.К., Федоров М.И.
Особенности оптимизации параметров и энергетические возможности термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
946
Куликов Г.С., Ходжаев К.Х.
Влияние легирования фосфором на диффузию олова в пленках a-Si : H
961
Березовец В.А., Фарбштейн И.И.
Энергетический спектр трехмерных и двумерных дырок со снятым спиновым вырождением (исследование теллура) О б з о р
965
Фирсов Ю.А.
Поляроны малого радиуса. Явления переноса
994
Иванов Г.А., Грабов В.М.
Физические свойства полуметаллов типа висмута
1040
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук