Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 7
Ляпилин И.И.
Влияние примесей с переменной валентностью на явления переноса в квантовой яме
769
Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Либерман В.Т., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г.
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg
1-x
Cd
x
Te (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
774
Козлов А.М., Рыльков В.В.
Эффект Френкеля--Пула для примеси бора в кремнии в сильных греющих электрических полях
777
Дмитрук Н.Л., Борковская О.Ю., Мамыкин С.В.
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки
781
Ибрагимова М.И., Барышев Н.С., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б.
Влияние последовательной имплантации ионов Ag
+
(Cu
+
) и Xe
+
на рекомбинационные свойства кристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te
786
Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Моисеев С.А., Штырков Е.И.
Особенности комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона
790
Кириллов Б.А., Бакин А.С., Солнышкин С.Н., Таиров Ю.М.
Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния
794
Ботнарюк В.М., Коваль А.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Симашкевич А.В., Шербан Д.А.
Поляризационная фоточувствительность кремниевых солнечных элементов с просветляющим покрытием из смеси оксидов индия и олова
800
Вальтер Т., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шок Г.В.
Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se
2
806
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Новиков В.А., Нойфех А.И., Пешев В.В.
Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами
811
Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Казанин М.М.
Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле
816
Власенко А.И., Гнатюк В.А., Копишинская Е.П., Мозоль П.Е.
Влияние лазерного облучения на фотопроводимость и шумы в монокристаллах n-Cd
x
Hg
1-x
Te
820
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников
823
Чуприков Н.Л.
Роль пространственной локализации частицы в процессе туннелирования
825
Киселев В.А., Полисадин С.В., Постников А.В.
Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме
830
Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И., Шуман В.Б.
Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда
833
Иову М.С., Коломейко Е.П., Шутов С.Д.
Влияние примеси олова на кинетику фотопроводимости тонких аморфных слоев селенида мышьяка
836
Андреев Ю.Н., Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Мошников В.А., Таиров Ю.М., Ярославцев Н.П.
Методика исследований субмикровыделений в поликристаллических материалах методом внутреннего трения
841
Горячев Д.Н., Сресели О.М., Беляков Л.В.
Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах
844
Панов М.Ф., Пихтин А.Н.
Экситонные эффекты в фотопроводимости квантово-размерных структур Ga
x
In
1-x
As/InP
848
Цацульников А.Ф., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Воловик Б.В., Суворова А.А., Берт Н.А., Копьев П.С.
Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек
851
Гук Е.Г., Налет Т.А.
Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
855
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Pascal F., Румянцев С.Л.
Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки
858
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.
Продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In
0.53
Ga
0.47
As
864
Лебедев А.А., Ортоланд С., Реноуд К., Локателли М.Л., Плансон Д., Шант Ж.П.
Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC
866
Теруков Е.И., Кузнецов А.Н., Паршин Е.О., Weiser G., Kuehne H.
Фотолюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном фосфором
869
Кучеренко И.В., Водопьянов Л.К., Кадушкин В.И.
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
872
Авруцкий И.А., Литовченко В.Г.
Исследование экситонных характеристик слоистых гетероструктур с квантованным спектром при наличии рельефной поверхности
875
Калитеевский М.А., Кавокин А.В., Копьев П.С.
Фарадеевское вращение света в микрорезонаторах
880
Федоренко Я.Г., Отавина Л.А., Леденева Е.В., Свердлова А.М.
Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов
885
Глушко Е.Я., Евтеев В.Н.
Расчет иерархической сверхрешетки PbS--C в полиямной модели
889
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук