Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4
Алексеев М.А., Карлик И.Я., Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф.
Гофрировка валентной зоны кристаллов фосфида индия
569
Гантмахер В.Ф., Зверев В.Н., Шовкун Д.В.
О механизме магнитопримесных резонансов в фотовозбужденном p-Ge
575
Калитенко В.А., Кучеров И.Я., Перга В.М.
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
578
Кужир П.Г., Малышев С.А., Рыжков М.П., Трофименко Е.Е.
Фототок в варизонной структуре при нестационарном возбуждении
582
Веденеев А.С., Воронкова Г.И., Ждан А.Г., Коган Ш.М., Лифшиц Т.М., Рыльков В.В.
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
586
Малютенко В.К., Яблоновский Е.И., Савченко А.П., Билинец Ю.Ю., Кабаций В.Н.
Люминесценция InAs в условиях магнитной инжекции
593
Копьев П.С., Кочерешко В.П., Уральцев И.Н., Яковлев Д.Р.
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
597
Крещук А.М., Мартисов М.Ю., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Сайдашев И.И., Шик А.Я., Шмарцев Ю.В.
Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа
604
Карпова И.В., Сабликов В.А., Сыровегин С.М.
Режимы генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды
609
Асрян Л.В., Шик А.Я.
Обратный ток и фототок p-n-перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров
613
Пека Г.П., Каваляускас А.А., Пулеметов Д.А., Смоляр А.Н., Шимулите Е.А.
Селективная фоточувствительность длинных p
+
-n-диодов с варизонной базой на основе Al
x
Ga
1-x
As
618
Гермогенов В.П., Диамант В.М., Коротченко З.В., Криворотов Н.П., Позолотин В.А.
Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление твердого раствора n-Al
x
Ga
1-x
Sb
623
Иванов М.Г., Меркулов И.А., Эфрос Ал.Л.
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
628
Кучинский П.В., Ломако В.М., Рутковский И.З., Счастный В.В., Тарасевич А.Д., Шахлевич Л.Н.
О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
634
Артамонов О.А., Дмитриева О.Г., Самарин С.Н., Яковлев И.И.
Низкоэнергетические изохроматные спектры кремния
638
Левин Е.И., Рузин И.М., Шкловский Б.И.
Поперечная прыжковая проводимость аморфных пленок в сильных электрических полях
642
Мастеров В.Ф., Штельмах К.Ф., Барбашов М.Н.
ЭПР связанных дырок в GaAs<Mn>
654
Гарбузов Д.З., Чалый В.П., Свелокузов А.Е., Халфин В.Б., Тер-Мартиросян А.Л.
Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (lambda=1.3 мкм) и InGaAsP/GaAs (lambda=0.85 мкм)
657
Вишневская Б.И., Дмитриев В.А., Коваленко И.Д., Коган Л.М., Морозенко Я.В., Родкин В.С., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е.
Синие SiC-6H-светодиоды
664
Андрианов Д.Г., Белоконь С.А., Климонский С.О., Лакеенков В.М.
Осцилляции Шубникова-де-Гааза в Pb
1-x
Mn
x
Te
670
Бочкарева Л.В., Зимин С.П.
Концентрационная зависимость коэффициента термоэдс эпитаксиальных пленок Pb
0.8
Sn
0.2
Te
675
Астров Ю.А., Порцель Л.М.
Урбаховский характер спектров примесного оптического поглощения полупроводника за счет кулоновского взаимодействия центров
679
Соловьев В.Н., Хрисанов В.А.
Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии
686
Аёшин А.И., Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.С.
Влияние интенсивности облучения быстрыми нейтронами на процессы дефектообразования в кремнии
692
Гацкевич Е.И., Малевич В.Л.
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
697
Мехтиев Н.М., Гусейнов З.З.
Уровни прилипания для электронов в ZnIn
2
Se
4
700
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
704
Лаврушин Б.М., Набиев Р.Ф., Попов Ю.М.
Поглощение света в полупроводниковых соединениях A
III
B
V
p-типа
710
Литовский Р.Н.
Влияние инверсионного слоя на туннельную полевую генерацию носителей тока в МДП структурах
716
Архипов В.И., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Руденко А.И.
Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As
2
Se
3
723
Богданов С.В., Губанов В.А.
Многоэкситонно-примесные комплексы в 6H-SiC
728
Александров П.А., Баранова Е.К., Городецкий А.Е., Демаков К.Д., Кутукова О.Г., Шемардов С.Г.
Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы ионно-синтезированного SiC в Si
731
Баранюк В.В., Комиссаров Г.П., Манассон В.А., Шустер Э.М.
Эффект усиления фототока в гетероструктуре In
2
O
3
-alpha-Si : H-Si
733
Греков Е.В., Сухоруков О.Г.
Определение плотности локализованных состояний в a-Si : H из измерений токов, ограниченных пространственным зарядом
735
Зарифьянц Ю.А., Карягин С.Н., Коробов О.Е., Лупачева А.Н.
Фотоиндуцированные метастабильные состояния в a-Si
x
C
1-x
: H
738
Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е.
О дефектах, возникающих в n-InP при низкотемпературном облучении
740
Кристофель Н.Н., Пищев А.Г.
Когерентный фотовольтаический эффект в поле эллиптически поляризованной световой волны
742
Дедулевич С., Канцлерис Ж., Мартунас З., Шяткус А.
Особенности электропроводности p-Ge в переменном слабогреющем электрическом поле
744
Дабагян А.В., Емцев В.В.
Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии n-типа при низкотемпературном гамма-облучении
747
Артемьев В.А., Михнович В.В., Титаренко С.Г.
Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций
750
Герасименко Н.Н., Мясников А.М., Нестеров А.А., Ободников В.И., Сафронов Л.Н., Хрящев Г.С.
Конверсия типа проводимости в слоях p-InAs, облученных ионами аргона
753
Белобородов П.Ю., Толбанов О.П., Хлудков С.С.
Влияние процессов перезарядки глубоких центров на задержку пробоя арсенид-галлиевых pi-nu-n-структур, компенсированных железом
755
Антоненко В.И., Ждан А.Г., Сульженко П.С.
Идентификация пространственной локализации пограничных состояний в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора
758
Доросинец В.А., Поклонский Н.А., Самуйлов В.А., Стельмах В.Ф.
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
761
Бочков А.В., Машкевич О.Л.
Нелинейная теория аномальных температурных полей в твердых телах
764
Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Радченко М.В., Демин В.Н., Гаськов А.М.
Магнитная восприимчивость и термоэдс вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe
1-x
S
x
766
Дыкман И.М., Томчук П.М.
Электромагнитные волны в сверхрешетке многодолинного полупроводника, образованной когерентными волнами
768
Неустроев Л.Н.
К теории эффекта Холла в сетке инверсионных каналов
773
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам (сс. 622, 669, 674, 678, 685, 691, 703)
774
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук