Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 8
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П.
Электронный транспорт в гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования твердого раствора
897
Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г., Поляков Н.К., Типисев С.Я., Голубок А.О., Леденцов Н.Н.
Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков
902
Корсунская Н.Е., Торчинская Т.В., Джумаев Б.Р., Хоменкова Л.Ю., Булах Б.М.
Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния
908
Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Максимов М.В., Леденцов Н.Н.
Люминесцентные свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии
912
Шмелев Г.М., Эпштейн Э.М., Маглеванный И.И.
Эффект Холла в квазидвумерных сверхрешетках в неквантующих магнитном и сильном электрическом полях
916
Агарев В.Н.
Нестационарная термоэдс в многослойных структурах с p-n-переходами
920
Сизов Ф.Ф., Козырев Ю.Н., Кладько В.П., Пляцко С.В., Огенко В.М., Шевляков А.П.
Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si
1-x
Ge
x
. Получение и структурные характеристики
922
Шашкин В.И., Каретникова И.Р., Мурель А.В., Нефедов И.М., Шерешевский И.А.
Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке
926
Головань Л.А., Кашкаров П.К., Лакеенков В.М., Тимошенко В.Ю.
Влияние импульсного лазерного облучения на оптические характеристики и фотопроводимость твердых растворов CdHgTe
931
Вирт И.С.
Влияние электрического поля на релаксацию фотопроводимости в кристаллах n-Hg
0.8
Cd
0.2
Te
936
Максимов М.В., Крестников И.Л., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В.
Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах
939
Качлишвили Х.З., Качлишвили З.С., Чумбуридзе Ф.Г.
О вычислении коэффициента захвата горячих электронов на отталкивающие центры в условиях игольчатого типа функции распределения
944
Куницын А.Е., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В.
Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава
947
Голант Е.И., Пашковский А.Б.
Зависимость резонансной проводимости симметричных двухбарьерных структур от амплитуды высокочастотного поля
950
Дощанов К.М.
Температурная зависимость электрических свойств поликристаллического кремния в темноте и при воздействии солнечного излучения
954
Балагуров Л.А., Павлов В.Ф., Петрова Е.А., Боронина Г.П.
Исследование пористого кремния и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии
957
Макаренко Л.Ф.
Расчет уровней 2p-состояний термодоноров в кремнии
961
Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П.
Проводимость, стимулированная осцилляциями температуры в распавшихся твердых растворах сульфида и теллурида кадмия
966
Галкин Н.Г., Конченко А.В., Маслов А.М.
Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома
969
Энтин М.В.
Усиление фотогальванического эффекта в двумерно-разупорядоченной среде
973
Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 3/4 мкм
976
Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М.
Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов PbTe и Pb
0.8
Sn
0.2
Te
980
Лебедев А.А.
Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения
983
Дзамукашвили Г.Э., Качлишвили З.С., Метревели Н.К.
Эволюция статической отрицательной дифференциальной проводимости в Ga
1-x
Al
x
As в зависимости от величины поперечного магнитного поля и от состава твердого раствора
987
Греков Ю.Б., Семиколенова Н.А., Шляхов Т.А.
Инверсия типа проводимости эпитаксиальных пленок твердых растворов PbSnTe при воздействии лазерного излучения допороговой мощности
990
Наумова О.В., Смирнов Л.С., Стась В.Ф.
Природа центров E
c
-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости
993
Антонова И.В., Мисюк А., Попов В.П., Шаймеев С.С.
Исследование процесса формирования кислородных преципитатов в кремнии
998
Резников Б.И.
Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металл--полупроводник и металл--диэлектрик--полупроводник
1003
Аскеров И.М., Асадов Ф.Ю.
Инжекционные токи в смешанослойных монокристаллах Ga
0.5
In
1.5
S
3
1011
Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Шаварова А.П., Федонюк А.А.
Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS : Cu
1013
Власенко А.И., Бабенцов В.Н., Власенко З.К., Свечников С.В., Раренко И.М., Захарук З.И., Никонюк Е.С., Шляховый В.Л.
Акцепторы в Cd
1-x
Mn
x
Te (x<0.1)
1017
Скипетров Е.П., Некрасова А.Н., Рязанов А.В.
Энергетический спектр n-Pb
1-x
Sn
x
Te (x=0.22), облученного электронами
1021
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук