Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 8
Добровольский В.Н., Романов А.В.
Ударная ионизация и лавинный пробой в p-n-переходах, находящихся в неоднородном температурном поле
1361
Добровольский В.Н., Грязнов С.Б.
Образование электронно-дырочных пар и лавинный пробой p-n-перехода при градиентах дрейфовых скоростей электронов и дырок
1366
Крещук А.М., Новиков С.В., Савельев И.Г.
Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращенных жидкофазной эпитаксией
1375
Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Белич Т.В., Карпович И.А.
Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs
1383
Качурин Г.А., Тысченко И.В., Плотников А.Е., Попов В.П.
Рост монокристаллического alpha-Si
3
N
4
в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N
+
в нагретый кремний
1390
Йодказис С., Пятраускас М., Нятикшис В., Утенко В.
Исследование рекомбинационных процессов неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия
1394
Кириллова С.И., Моин М.Д., Примаченко В.Е., Свечников С.В., Чернобай В.А., Дубров И.Н.
Изменение электронных свойств системы Si-SiO
2
при лазерном облучении
1399
Березин А.В., Житинская М.К., Немов С.А., Черник И.А.
Примесные состояния In в GeTe
1405
Акчурин Р.X., Жегалин В.А., Чалдышев В.В.
Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi, Sn>, полученных из висмутовых растворов
1409
Тихомиров В.К.
Фотоиндуцированные эллиптические двулучепреломление и дихроизм в стеклообразных полупроводниках
1415
Дикман С.М.
О корреляционном механизме двухуровневой рекомбинации в gamma, e-облученнжом кремнии
1427
Джуади Д., Касиян В.А., Недеогло Д.Д.
Температурное гашение остаточной проводимости в кристаллах селенида цинка, легированных медью
1433
Никитенко В.Р.
Теоретическая модель туннельного дисперсионного транспорта в неупорядоченных материалах
1438
Аронзон Б.А., Дричко И.Л.
Переход металл-диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия
1446
Котельников И.Н., Кокин В.А., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Ржанов Ю.А., Анохина С.П.
Характеристика и особенности проводимости приповерхностных delta-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных электронов
1462
Ивченко Е.Л., Киселев А.А.
Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках
1471
Кашерининов П.Г., Резников Б.И., Царенков Г.В.
Фотоэффект в структуре металл-полупроводник-металл на основе высокоомного полупроводника
1480
Немов С.А., Равич Ю.И., Житинская М.К., Прошин В.И.
Самокомпенсация электроактивных примесей собственными дефектами в твердых растворах Pb
0.8
Sn
0.2
Te
1493
Сорокина К.Л.
Влияние статистического сдвига уровня Ферми на электропроводность a-Si : H : нормальное и аномальное правило Мейера-Нелдела
1500
Берман Л.С., Воронков В.Б., Козлов В.А., Ременюк А.Д.
О механизме отжига дивакансий в кремнии, облученном протонами
1507
Лугаков П.Ф., Лукьяница В.В.
Влияние предварительной термообработки на эффективность образования радиационных дефектов в бездислокационном кремнии
1509
Голикова О.А., Сорокина К.Л.
Состояние оборванных связей в псевдолегированном аморфном гидрированном кремнии a-Si : H
1511
Лобанова Н.Е., Карзанов В.В., Тетельбаум Д.И.
Об аномальной дозовой зависимости концентрации VV-центров в кремнии при ионной имплантации азота
1514
Михаил Григорьевич Мильвидский (к 60-летию со дня рождения)
1517
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук