Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1998, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, выпуск 9
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Ревинский А.Ф.
О корреляции между температурными зависимостями ширины запрещенной зоны и энтальпии полупроводниковых кристаллов
1025
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Шек Е.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.
Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного диспрозием и гольмием
1029
Ордин С.В., Шарупин Б.Н., Федоров М.И.
Нормальные решеточные колебания и кристаллическая структура анизотропных модификаций нитрида бора
1033
Электронные и оптические свойства полупроводников
Боднарь И.В., Кудрицкая Е.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Физические свойства монокристаллов твердых растворов Cu
x
Ag
1-x
In
5
S
8
и поверхностно-барьерных структур на их основе
1043
Вейс А.Н., Немов С.А.
Оптическое отражение в Pb
0.78
Sn
0.22
Te, легированном 3 at% индия
1047
Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н., Пузенко Е.А.
Электрические свойства кремния, термообработанного при 530
o
C и облученного электронами
1049
Дейбук В.Г., Студенец В.И.
Влияние антиструктурных дефектов на зонную структуру и диэлектрическую функцию твердых растворов In
1-x
Ga
x
Sb
1054
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
О зависимости диэлектрических и оптических свойств широкозонных полупроводников от давления
1057
Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Галиев Г.Б., Страхов В.А., Яременко Н.Г.
Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1060
Александрова О.А., Бондоков Р.Ц., Саунин И.В., Таиров Ю.М.
Подвижность носителей заряда в двухслойных структурах PbTe / PbS
1064
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Миньков Г.М., Германенко А.В., Рут О.Э.
Многочастичные эффекты при туннелировании электронов в структуре металл--изолятор--полупроводник p-типа
1069
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.
О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd--<пористый Si>
1073
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С.
Определение скорости поверхностной рекомбинации в эпитаксиальных слоях n-Cd
x
Hg
1-x
Te из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда
1076
Гадияк Г.В., Stathis J.
Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO
2
-структуры при отжиге в вакууме
1079
Низкоразмерные системы
Горохов Е.Б., Романов Д.А., Студеникин С.А., Ткаченко В.А., Ткаченко О.А.
Влияние немонотонного профиля потенциала на краевые магнитные состояния
1083
Карпович И.А., Аншон А.В., Филатов Д.О.
Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs при обработке в водородной плазме
1089
Гриняев С.Н., Чалдышев В.А.
Локализованные состояния вблизи запрещенной зоны GaAs, обусловленные тетраэдрическими мышьяковыми кластерами
1094
Быканов Д.Д., Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г.
Слабополевое магнитосопротивление двумерных электронов в гетероструктурах In
0.53
Ga
0.47
As / InP в режиме замороженной фотопроводимости
1100
Лазаренкова О.Л., Пихтин А.Н.
Энергетический спектр неидеальной квантовой ямы в электрическом поле
1108
Ковш А.Р., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Лунев А.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Бимберг Д.
Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики инжекционных лазеров
1114
Иванов Ю.Л., Морозов С.А., Устинов В.М., Жуков А.Е.
Мощное дальнее инфракрасное излучение горячих дырок напряженной двумерной структуры InGaAs / AlGaAs
1119
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Сресели О.М.
Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система
1122
Физика полупроводниковых приборов
Резников Б.И., Субашиев А.В.
Эффекты ограничения заряда эмиссии в GaAs-фотокатодах при высоких интенсивностях оптического возбуждения
1125
Васильев В.В., Машуков Ю.П.
Определение длины волны отсечки фоточувствительности инфракрасных фотоприемников с использованием двух низкотемпературных излучателей
1135
Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSb/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 мкм
1139
Грехов И.В., Векслер М.И., Иванов П.А., Самсонова Т.П., Шулекин А.Ф.
Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO
2
/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком
1145
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук