Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2006, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, выпуск 12
Электронные и оптические свойства полупроводников
Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю.
Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками beta-частиц малой интенсивности
1409
Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Родин С.Н., Черенков А.В.
Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Eu на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Er
1412
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Булгаков А.А., Шрамкова О.В.
Дисперсия и неустойчивость дрейфовых волн в мелкослоистой полупроводниковой структуре
1420
Лёвин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М.
Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
1427
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов С.Ю., Черенков А.Е., Кузнецов А.Н., Трегубова А.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Садохин А.В., Йонеда С., Нишино Ш.
Исследование структур n
+
-6H/n-3C/p
+
-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии
1432
Низкоразмерные системы
Алексеев П.С., Чистяков В.М., Яссиевич И.Н.
Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование
1436
Кадушкин В.И.
Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно легированного гетероперехода
1443
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Торопов А.И.
Индуцированный светом переход металл--диэлектрик в гетероструктуре n-GaAs/AlGaAs. Акустические методы исследования
1449
Борщ Н.А., Переславцева Н.С., Курганский С.И.
Атомная и электронная структура кремниевых и кремний-металлических наночастиц Si
20
, Si
-
20
, NaSi
20
и KSi
20
1457
Завьялов Д.В., Крючков С.В., Мещерякова Н.Е.
Влияние квантующего электрического поля на поперечную подвижность электронов в сверхрешетке
1463
Чалдышев В.В., Школьник А.С., Евтихиев В.П., Holden T.
Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs
1466
Физика полупроводниковых приборов
Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Панин А.В., Хлудкова Л.С.
Влияние термического отжига на чувствительность кремниевых МОП диодов к восстановительным газам
1470
Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Мамедов Г.М., Амирова С.И.
Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO
2
/Cd
0.4
Zn
0.6
S/CdTe, изготовленных электрохимическим методом
1476
Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А.
Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах
1479
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук