Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, выпуск 8

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Прокофьева Л.В., Пшенай-Северин Д.А., Константинов П.П., Шабалдин А.А.

Оптимальный состав твердого раствора Bi₂Te_3-xSe_x для n-ветви термогенератора

1009

Алиев Ф.Ф., Джафаров М.Б., Эминова В.И.

Термоэлектрическая добротность Ag₂Se с избытком Ag и Se

1013

Электронные и оптические свойства полупроводников

Ермолович И.Б., Миленин В.В., Редько Р.А., Редько С.М.

Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах

1016

Казанский С.А., Уоррен мл. В.В., Рыскин А.И.

Спин-решеточная релаксация ядерных спинов ¹¹³Cd и ¹⁹F в кристаллической решетке полупроводниковых кристаллов CdF₂ с DX-центрами

1021

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Беляев А.П., Рубец В.П., Тошходжаев Х.А.

Фотоэлектрические свойства сэндвич-структуры из пленок, синтезированных в резко неравновесных условиях

1029

Низкоразмерные системы

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш.

Температурная зависимость термоэдс диска Корбино из антимонида индия в квантующем магнитном поле

1032

Талочкин А.Б., Чистохин И.Б., Марков В.А.

Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge

1034

Горбатый И.Н.

Спиновый эффект Холла в полупроводниковых структурах с пространственно неоднородной спиновой релаксацией

1039

Гуринович Л.И., Лютич А.А., Ступак А.П., Прислопский С.Я., Русаков Е.К., Артемьев М.В., Гапоненко С.В., Демир Х.В.

Люминесценция квантово-размерных нанокристаллов и наностержней селенида кадмия во внешнем электрическом поле

1045

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Грузинцев А.Н., Емельченко Г.А., Масалов В.М.

Фотолюминесценция ZnO, инфильтрованного в трехмерный фотонный кристалл

1054

Физика полупроводниковых приборов

Косяченко Л.А., Савчук А.И., Грушко Е.В.

Влияние толщины поглощающего слоя на эффективность солнечного элемента CdS/CdTe

1060

Горбатюк А.В., Серков Ф.Б.

Кооперативные эффекты при импульсном саморазогреве p-i-n-диода

1065

Аверкиев Н.С., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С.

Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения

1073

Новиков Ю.Н.

Энергонезависимая память, основанная на кремниевых нанокластерах

1078

Хрипунов Г.С., Черных Е.П., Ковтун Н.А., Белоногов Е.К.

Гибкие солнечные модули на основе сульфида и теллурида кадмия

1084

Иванов А.М., Мынбаева М.Г., Садохин А.В., Строкан Н.Б., Лебедев А.А.

Транспорт заряда в структурах 4H-SiC-детекторов в условиях сильного электрического поля

1090

Данильченко В.Г., Корольков В.И., Солдатенков Ф.Ю.

Арсенидгаллиевые быстродействующие импульсные диоды на основе гетероструктур

1093

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Мизеров А.М., Жмерик В.Н., Кайбышев В.К., Комиссарова Т.А., Масалов С.А., Иванов С.В.

Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различных способов активации азота

1096

Стецюра С.В., Маляр И.В., Сердобинцев А.А., Климова С.А.

Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках

1102

Торхов Н.А., Новиков В.А.

Фрактальная геометрия поверхностного потенциала электрохимически осажденных пленок платины и палладия

1109

Чалдышев В.В., Яговкина М.А., Байдакова М.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.

Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой температуре и периодически delta-легированных сурьмой и фосфором

1117

Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кладько В.П., Кудрик Я.Я., Лебедев А.А., Миленин В.В., Шеремет В.Н.

Свойства контактов GaN(SiC)-(Ti,Zr)B_x, подвергнутых быстрым термоотжигам

1125

Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаров Д., Холиков К.Т.

Возможность получения пленок (GaSb)_1-x(Si₂)_x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии

1131

Середин П.В., Гордиенко Н.Н., Глотов А.В., Журбина И.А., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Шишков М.В.

Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GaInP : Dy/por-GaAs/GaAs(100)

1137

Моисеев К.Д., Пархоменко Я.А., Гущина Е.В., Анкудинов А.В., Михайлова М.П., Берт Н.А., Яковлев Ю.П.

Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs

1142

Учредители

Издатель