Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9

Электронные свойства полупроводников

Газизов И.М., Залетин В.М., Говорков А.В., Кузнецов М.С., Лисицкий И.С., Поляков А.Я., Смирнов Н.Б.

Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr

1153

Осинных И.В., Журавлев К.С., Малин Т.В., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю.

Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании

1164

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н.

Температурная и магнетополевая зависимости термоэдс электронного антимонида индия

1169

Гайдар Г.П.

Кинетика электронных процессов в gamma-облученных (⁶⁰Co) монокристаллах n-Ge

1171

Стрельчук В.В., Авраменко Е.А., Романюк А.С., Завьялова Л.В., Свечников Г.С., Хомченко В.С., Рощина Н.Н., Ткач В.Н.

Структурные и оптические свойства плeнок ZnO, полученных безвакуумным химическим методом

1176

Мехтиева С.И., Исаев А.И., Атаева С.У., Зейналов В.З.

Особенности локальной структуры халькогенидного стеклообразного полупроводника Se₉₅Te₅, легированного самарием

1182

Бакланов А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю., Конников С.Г.

Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы

1186

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Махний В.П., Слетов A.М., Стец Е.В.

Природа голубой полосы излучения в ZnSe с изовалентной примесью S

1192

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Боднарь И.В.

Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn₂S₄)_1-x(In₂S₃)_x

1194

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Котина И.М., Данишевский А.М., Коньков О.И., Теруков Е.И., Тухконен Л.М.

Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах

1198

Мостовой А.И., Брус В.В., Марьянчук П.Д.

Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе тонких пленок TiO₂ : Cr₂O₃

1205

Талалаев В.Г., Цырлин Г.Э., Горай Л.И., Новиков Б.В., Лабзовская М.Э., Tomm J.W., Werner P., Fuhrmann B., Schilling J., Racec P.N.

Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка-квантовая яма

1209

Павлов Н.В., Зегря Г.Г.

Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs_0.84Sb_0.16/AlSb

1217

Тысченко И.Е., Фельсков М., Черков А.Г., Попов В.П.

Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO₂ структуры кремний-на-изоляторе

1228

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Дмитриевский А.А., Ефремова Н.Ю., Дружкин А.В., Коростелева Т.О., Гусева Д.Г.

Влияние длительности электрохимического анодирования на микротвердость макропористого кремния

1234

Свит К.А., Протасов Д.Ю., Свешникова Л.Л., Шестаков А.К., Тийс С.А., Журавлев К.С.

Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра- Блоджетт

1237

Улин В.П., Улин Н.В., Солдатенков Ф.Ю., Семенов А.В., Бобыль А.В.

Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации

1243

Физика полупроводниковых приборов

Андреев В.М., Гребенщикова Е.А., Дмитриев П.А., Ильинская Н.Д., Калиновский В.С., Контрош Е.В., Малевская А.В., Усикова А.А.

Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge

1249

Tsai Jung-Hui, Wu You-Ren, Chiang Chung-Cheng, Wang Fu-Min, Liu Wen-Chau

Influence of gate-to-source and gate-to-drain recesses on GaAs camel-like gate field-effect transistors

1254

Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Грехов М.М., Гладков В.П., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.

Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In_y(z)Ga_1-y(z)As/GaAs с переменным профилем состава

1258

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Аскеров Э.Б., Мададзада А.И., Исмаилов Д.И., Мехтиева Р.Н.

Взаимодействие гетерогенных тонких пленок и образование фаз в системе Tl-Fe-S

1265

Крылов П.Н., Закирова Р.М., Федотова И.В.

Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на концентрацию и подвижность носителей заряда в пленках ITO

1269

Достанко А.П., Агеев О.А., Голосов Д.А., Завадский С.М., Замбург Е.Г., Вакулов Д.Е., Вакулов З.Е.

Электрические и оптические свойства пленок оксида цинка, нанесенных методом ионно-лучевого распыления оксидной мишени

1274

Хвостиков В.П., Сорокина С.В., Потапович Н.С., Cолдатенков Ф.Ю., Тимошина Н.Х.

Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb

1280

Закгейм Д.А., Иткинсон Г.В., Кукушкин М.В., Марков Л.К., Осипов О.В., Павлюченко А.С., Смирнова И.П., Черняков А.Е., Бауман Д.А.

Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией

1287

Персоналии

Аскеров Бахрам Мехрали оглы

1294

Учредители

Издатель