Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2014, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5
Электронные свойства полупроводников
Боднарь И.В.
Тепловое расширение и теплопроводность соединений In
2
S
3
, CuIn
5
S
8
и твердых растворов (CuIn
5
S
8
)
1-x
(In
2
S
3
)
x
577
Шалдин Ю.В., Matyjasik S.
Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdS в области низких температур
582
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мамедова С.А.
Отрицательная фотопроводимость в пленках твердых растворов соединений A
II
B
VI
590
Нгуен Х.Ф., Козюхин С.А., Певцов А.Б.
Влияние висмута на оптические свойства тонких пленок Ge
2
Sb
2
Te
5
597
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Зайцев Д.А., Сейсян Р.П.
Оптическое пропускание тонких пластин GaAs при лазерной накачке в область экситонных резонансов и континуума состояний: экситон-экситонное взаимодействие
604
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Ткач Н.В., Сети Ю.А.
Каналы прозрачности и вольт-амперная характеристика двухбарьерной наносистемы в постоянном электрическом и электромагнитном полях произвольной напряженности
610
Davatolhagh S., Khordad R., Jafari A.R.
Intersubband optical absorption coefficients and refractive index changes in spherical hydrogenic antidots
616
Зуев В.В., Григорьев С.Н., Романов Р.И., Фоминский В.Ю., Григорьев В.В.
Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6H-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины
621
Панкратов Е.Л., Гуськова О.П., Дроздов М.Н., Абросимова Н.Д., Воротынцев В.М.
Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов
631
Mousavi Hamze
Heat capacity of hexagonal boron nitride sheet in Holstein model
636
Конакова Р.В., Коломыс А.Ф., Охрименко О.Б., Стрельчук В.В., Светличный А.М., Григорьев М.Н., Коноплев Б.Г.
Особенности спектров комбинационного рассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом
639
Белёвский П.А., Винославский М.Н, Порошин В.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур n-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции
643
Грабов В.М., Демидов Е.В., Комаров В.А., Матвеев Д.Ю., Николаева А.А., Маркушевс Д., Константинов Е.В., Константинова Е.Е.
Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром
648
Mousavi Hamze, Behroozi Samad
The Hall conductivity of graphene
654
Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., Пушкарев С.С., Мальцев П.П.
Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In
0.7
Al
0.3
As/In
0.75
Ga
0.25
As/In
0.7
Al
0.3
As на подложках GaAs
658
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Брантов С.К.
Полупроводниковое поведение нанокристаллического углерода
667
Физика полупроводниковых приборов
Минтаиров М.А., Евстропов В.В., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Шварц М.З., Тимошина Н.Х., Салий Р.А., Лантратов В.М.
Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
671
Коман Б.П.
Температурная селективность радиационного воздействия на кремниевые МОП-транзисторы
677
Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Голант Е.И., Капралова А.А.
Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
684
Саченко А.В., Костылев В.П., Кулиш Н.Р., Соколовский И.О., Шкребтий А.И.
Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов
693
Логунов А.А., Машин А.И., Строганов И.Ю.
Роль металлических контактов в солнечных элементах на основе диоксида титана и ди-(изотиоцианат)-бис-(2,2'-бипиридил-4,4'-дикарбоксилат)рутения(II)
702
Слипченко С.О., Подоскин А.А., Шашкин И.С., Золотарев В.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С.
Анализ излучательной эффективности мощных полупроводниковых лазеров при выполнении пороговых условий генерации для замкнутой моды
705
Слипченко С.О., Подоскин А.А., Пихтин Н.А., Золотарев В.В., Шашкин И.С., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Растегаева М.Г., Тарасов И.С., Копьев П.С.
Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур
710
Слипченко С.О., Подоскин А.А., Васильева В.В., Пихтин Н.А., Рожков А.В., Горбатюк А.В., Золотарев В.В., Веселов Д.А., Жаботинский А.В., Петухов А.А., Тарасов И.С., Багаев Т.А., Зверков М.В., Коняев В.П., Курнявко Ю.В., Ладугин М.А., Лобинцов А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Сима ков В.А.
Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890-910 нм
716
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук