Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2001, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, выпуск 11
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Онопко Д.Е., Рыскин А.И.
Физические основы реконструкции метастабильных примесных центров в полупроводниках
1281
Александров О.В.
Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму
1289
Электронные и оптические свойства полупроводников
Горбань И.С., Крохмаль А.П.
Примесное оптическое поглощение и структура зоны проводимости в 6H-SiC
1299
Скипетров Е.П., Чернова Н.А., Скипетрова Л.А., Голубев А.В., Слынько Е.И.
Магнитные свойства сплавов Pb
1-x
Ge
x
Te, легированных иттербием
1306
Никольский Ю.А.
О механизме токопрохождения в пленках n-InSb
1309
Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Ильин В.И., Немов С.А., Савинцев П.В.
Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe : Bi : Se
1311
Mell H., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.
Фотоэлектрические явления в гетероструктурах (mu c
x
a
1-x
)-Si : H / c-Si
1316
Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Weiser G., Kuehne H.
Импульсный синтез слоев beta-FeSi
2
на кремнии, имплантированном ионами Fe
+
1320
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Косяченко Л.А., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко И.М.
Генерационно-рекомбинационные и диффузионные токи в n
+
-p-переходах HgMnTe
1326
Средин В.Г., Мезин Ю.С., Укроженко В.М.
Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на Cd
x
Hg
1-x
Te
1335
Барышников В.Г., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.
Фоточувствительность гетеропереходов a-C : H / c-Si
1338
Соколовский Б.С.
Обратный ток варизонной p-n-структуры с немонотонной координатной зависимостью ширины запрещенной зоны
1341
Лебедев М.В.
Роль сольватации сульфид-иона при модификации электронной структуры поверхности GaAs
1347
Низкоразмерные системы
Бирюлин П.И., Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Трофимов В.Т.
Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью
1356
Pov zela K.
Electron nonelastic scattering by confined and interface polar optical phonons in a modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well
1361
Абрамов И.И., Рогачев А.И.
Электрические характеристики интерференционных транзисторов с одним затвором на различных полупроводниковых материалах
1365
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Голикова О.А.
Средний порядок и оптоэлектронные свойства тетраэдрически координированного гидрированного аморфного полупроводника
1370
Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Сорокин Л.М., Хатчисон Дж.
Структурные и фотонные свойства нанокомпозитов опал--GaN
1376
Физика полупроводниковых приборов
Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С.
InGaAs/GaAs/InGaP-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
1380
Медведкин Г.А., Теруков Е.И., Сато К., Хасегава Ю., Хиросэ К.
Фотолюминесцентные свойства поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe
2
при низкой температуре
1385
Берман Л.С.
Моделирование вольт-амперных характеристик полевого транзистора с сегнетоэлектрическим изолятором
1391
Гордеев Н.Ю., Иванов С.В., Копчатов В.И., Новиков И.И., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Копьев П.С., Рёйшер Г., Вааг А., Ландвер Г.
Повышенная деградационная устойчивость сине-зеленых A
II
B
VI
светодиодов, не использующих легированных азотом слоев на основе ZnSe
1396
Персоналии
Памяти Алексея Петровича Шотова
1401
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук