Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2003, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 6
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П.
Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы
641
Киланов Д.В., Попов В.П., Сафронов Л.Н., Никифоров А.И., Шольц Р.
Водородно-индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильно легированному бором
644
Александров О.В., Афонин Н.Н.
Модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, в сильно легированных слоях кремния
649
Nemcsics Akos, Makai Janos P.
Defect profiling in semiconductor layers by electrochemical method
657
Электронные и оптические свойства полупроводников
Гасенкова И.В., Чубаренко В.А., Тявловская Е.А., Свечникова Т.Е.
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов на основе теллурида висмута
661
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N.
Фотоэлектрические явления в монокристаллах CdV
2
S
4
и структурах на их основе
666
Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю.
Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры
671
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш.
Влияние моновакансий на ширину террас при сублимации с поверхности (111) алмазоподобного кристалла
674
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N.
Получение и свойства монокристаллов ZnFe
2
S
4
и структур на их основе
681
Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В.
Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника по квазистатическим вольт-фарадным характеристикам МДП структуры
686
Дунаевский М.С., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Титков А.Н., Laiho R.
Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии на сколах
692
Низкоразмерные системы
Попов Н.Л., Успенский Ю.А., Турьянский А.Г., Пиршин И.В., Виноградов А.В., Платонов Ю.Я.
Определение параметров многослойных наноструктур с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии
700
Климовская А.И., Дрига Ю.А., Гуле Е.Г., Пикарук О.А.
Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах
706
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Васильевский И.С., Деркач А.В.
Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонным легированием
711
Ханин Ю.Н., Дубровский Ю.В., Вдовин Е.Е.
Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление резонансного туннелирования в магнитном поле как проявление кулоновской щели в туннельной плотности состояний
717
Валах М.Я., Вуйчик Н.В., Стрельчук В.В., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Иванов С.В., Копьев П.С.
Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция в наноструктурах CdSe/ZnSe
724
Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Германенко А.В., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Бирюков А.А.
Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в структурах GaAs / InGaAs с двумерным электронным газом
730
Поклонский Н.А., Кисляков Е.Ф., Вырко С.А.
О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе
735
Качурин Г.А., Яновская С.Г., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н.
Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO
2
738
Покутний С.И.
Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах
743
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б.
Модификация наноструктуры алмазоподобных пленок углерода бомбардировкой ионами ксенона
748
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
Влияние светового излучения на скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si : H(B)
753
Физика полупроводниковых приборов
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М., Pizzini S.
Эффективный кремниевый светодиод с температурно-стабильными спектральными характеристиками
756
Иванов С.В., Моисеев К.Д., Кайгородов В.А., Соловьев В.А., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Гребенщикова Е.А., Седова И.В., Терентьев Я.В., Семенов А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Торопов А.А., Яковлев Ю.П., Копьев П.С., Алфёров Ж.И.
Инжекционный ИК лазер (lambda=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии
762
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук