Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2023, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 1
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Родин С.Н.
Начальные стадии роста слоя GaN(11\=22) на наноструктурированной подложке Si(113)
3
Басалаев Ю.М., Дугинова Е.Б., Басалаева О.Г.
Первопринципное исследование электронных, колебательных и упругих свойств кристаллов LiInTe
2
и LiTlTe
2
7
Электронные свойства полупроводников
Борздов В.М., Борздов А.В., Василевский Ю.Г.
Разыгрывание полярного угла рассеяния электронов на ионах примеси при моделировании процессов переноса заряда в полупроводниках методом Монте-Карло
14
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Пашковский А.Б., Богданов С.А., Бакаров А.К., Журавлев К.С., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Карпов С.Н., Рогачев И.А., Терешкин Е.В.
Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами
21
Углеродные системы
Андронов А.А., Позднякова В.И.
О ТГц лазерах на циклотронном резонансе в графене в скрещенных E,H полях при T=300 K и в непрерывном режиме
29
Физика полупроводниковых приборов
Сорокина С.В., Солдатенков Ф.Ю., Потапович Н.С., Хвостиков В.П.
Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность
35
Закгейм А.Л., Карандашев С.А., Климов А.А., Кунков Р.Э., Лухмырина Т.С., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Усикова А.А., Черняков А.Е.
К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAs(Sb)
42
Лебедев А.А., Козловский В.В., Левинштейн М.Е., Малевский Д.А., Оганесян Г.А.
Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
53
Токарев А.С., Лапшина О.А., Козырев А.А.
Влияние ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения
58
Бабичев А.В., Комаров С.Д., Ткач Ю.С., Неведомский В.Н., Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И.
Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм
63
Снигирев Л.А., Ушанов В.И., Иванов А.А., Берт Н.А., Кириленко Д.А., Яговкина М.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Касаткин И.А., Чалдышев В.В.
Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al
0.6
Ga
0.4
As
0.97
Sb
0.03
71
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук