Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2003, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 5
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Шарков А.И., Коростелин Ю.В., Зайцев В.В.
Распространение неравновесных фононов в монокристаллическом ZnTe
539
Электронные и оптические свойства полупроводников
Кондаков О.В., Иванов К.Г.
Магнитооптические осцилляции в висмуте при температурах T>=77 K
543
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Кумеков С.Е., Стеганцов С.В.
Локальная особенность изменения спектра пикосекундной суперлюминесценции при дополнительной генерации носителей в нефермиевскую электронно-дырочную плазму в GaAs
546
Ткачман М.Г., Шубина Т.В., Жмерик В.Н., Иванов С.В., Копьев П.С., Паскова Т., Монемар Б.
Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
552
Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г.
Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми
557
Смагулова С.А., Антонова И.В., Неустроев Е.П., Скуратов В.А.
Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелыми ионами высоких энергий
565
Назыров Д.Э.
Диффузия европия в кремнии
570
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N.
Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGa
2
Se
4
572
Низкоразмерные системы
Сизов Д.С., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Егоров В.А., Тонких А.А., Жуков А.Е., Михрин С.С., Васильев А.П., Мусихин Ю.Г., Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Леденцов Н.Н.
Структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в матрице AlGaAs
578
Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г.
Модель многоостровковых одноэлектронных цепочек на основе метода Монте-Карло
583
Борисенко С.И.
Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами
588
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н., Егунов Р.М.
Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs / Al
x
Ga
1-x
As (110)
592
Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А., Шкердин Г.Н., Яременко Н.Г.
Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем
599
Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Зерова В.Л., Фирсов Д.А.
Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем в квантовых ямах
604
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А.
Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый 4H-SiC
612
Зюбин А.С., Григорьев Ф.В., Дембовский C.А.
Квантово-химическое моделирование влияния дефектов на инфракрасный спектр и электронную структуру a-Se
616
Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И.
Фазовые превращения, инициируемые в тонких слоях аморфного кремния наносекундным воздействием излучения эксимерного лазера
622
Физика полупроводниковых приборов
Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Замятин Н.И.
Обнаружение примеси водорода в кремниевых детекторах излучения
629
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme