Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 3
Гадияк Г.В.
Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках SiO
2
в сильных электрических полях
257
Скипетров Е.П., Некрасова А.Н.
Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов n-Pb
1-x
Sn
x
Te (x~= 2)
264
Бекетов Г.В., Беляев А.Е., Витусевич С.А., Каверцев С.В., Комиренко С.М.
Особенности явлений переноса в эпитаксиальных пленках n-Mn
x
Hg
1-x
Te/Cd
0.96
Zn
0.04
Te
268
Арапов Ю.Г., Городилов Н.А., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г.
Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла и локализация дырок в гетероструктурах p-Ge/Ge
1-x
Si
x
273
Голикова О.А.
Дефекты в "собственном" и псевдолегированном аморфном гидрированном кремнии
281
Андреев А.Н., Смирнова Н.Ю., Трегубова А.С., Щеглов М.П., Челноков В.Е.
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом вакуумной сублимации на подложках 6H-SiC
285
Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шунгуров Д.В., Шенгуров В.Г.
Структура и электропроводность пленок поликристаллического кремния, полученных молекулярно-лучевым осаждением с сопутствующей низкоэнергетической ионной бомбардировкой поверхности роста
291
Черемисин М.В.
Квазистатическая емкость МОП полевого транзистора при насыщении дрейфовой скорости носителей
296
Белявский В.И., Гольдфарб М.В., Копаев Ю.В., Швецов С.В.
Энергия связи мелких доноров в асимметричных системах квантовых ям
302
Романов Ю.А., Демидов Е.В.
Нелинейная проводимость и вольт-амперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток
308
Эмексузян В.М., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Болотов В.В.
Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода
311
Нейфельд Э.А., Демчук К.М., Харус Г.И., Бубнова А.Э., Доманская Л.И., Штрапенин Г.Л., Паранчич С.Ю.
Осцилляции Шубникова--де-Гааза в HgFeSe и HgCoSe в условиях всестороннего сжатия
318
Закордонец В.С., Логвинов Г.Н.
Термоэлектрическая добротность монополярных полупроводников ограниченных размеров
323
Баширов Р.И., Баширов Р.Р., Елизаров В.А., Моллаев А.Ю.
Гальваномагнитные явления в твердых растворах p-Hg
1-x
Mn
x
Te
326
Сырбу Н.Н., Богданаш М., Тезлеван В.Е.
Колебания решетки в кристаллах CuInSe
2
329
Ицкевич Е.С., Каширская Л.М., Крайденов В.Ф.
Особенности низкотемпературной термоэдс p-BiTe
3
и Te при электронно-топологических переходах под давлением
335
Мясников А.М., Ободников В.И., Серяпин В.Г., Тишковский Е.Г., Фомин Б.И., Черепов Е.И.
Формирование квазипериодического распределения бора в кремнии, инициированное ионной имплантацией
338
Каверцев С.В., Беляев А.Е.
Влияние упругих напряжений на характер эпитаксиальной кристаллизации (Hg,Mn)Te
342
Казанский А.Г.
Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа
347
Тетеркин В.В., Сточанский С.Я., Сизов Ф.Ф.
Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg
1-x
Cd
x
Te и свойства диффузионных p
+
-n-переходов на их основе
350
Демидов Е.В.
Влияние X-долины на туннелирование и время жизни электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs
355
Андреев А.Д., Зегря Г.Г.
Оже-рекомбинация в напряженных квантовых ямах
358
Полисский Г., Сресели О.М., Андрианов А.В., Кох Ф.
Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра при комнатной температуре
365
Каламейцев А.В., Романов Д.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Постников К.О., Субботин И.М.
Природа отрицательного дифференциального сопротивления неидеального барьера Шоттки на основе арсенида индия
370
Савчук В.А., Корзун Б.В., Соболев Н.А., Маковецкая Л.А.
Исследование люминесценции диселенида меди--алюминия
377
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П., Ермолаев А.В., Иркаев С.М.
Электрическая активность изоэлектронной примеси германия в халькогенидах свинца
381
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук