Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2005, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, выпуск 3
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Лобановский Л.С., Труханов С.В., Бушинский М.В., Троянчук И.О.
Катионное разупорядочение в двойном оксиде Sr
2
FeMoO
6
со структурой перовскита
291
Лебедев А.А., Давыдов С.Ю.
Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC
296
Ильин А.С., Максимов А.И., Мошников В.А., Ярославцев Н.П.
Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь--гель технологии
300
Электронные и оптические свойства полупроводников
Козлов А.И., Соболев В.В., Князев А.Ф.
Спектры отражения двух полиморфных модификаций арсенида кадмия
305
Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С.
Статистика электронов в PbS с U-центрами
309
Ардышев М.В., Ардышев В.М., Крючков Ю.Ю.
Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами
313
Бачериков Ю.Ю., Кицюк Н.В., Оптасюк С.В., Стадник А.А.
Влияние уплотнения на люминесцентные свойства порошков ZnS : Ga
316
Sennikov P.G., Kotereva T.V., Kurganov A.G., Andreev B.A., Niemann H., Schiel D., Emtsev V.V., Pohl H.-J.
Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon
28
Si,
29
Si and
30
Si
320
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Липаев А.Ф., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П.
Влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных в присутствии свинца
327
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Берман Л.С.
Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник
332
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н.
Модель для описания рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs(001)
336
Горский П.В.
Квазиклассическое рассмотрение осцилляций электропроводности слоистых кристаллов в магнитном поле при рассеянии носителей тока на акустических фононах
343
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.
Механизмы протекания тока и фоточувствительность структур n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se
2
349
Домашевская Э.П., Середин П.В., Долгополова Э.А., Занин И.Е., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С.
Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах Al
x
Ga
1-x
As/GaAs(100)
354
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Persheyev S.K., Smirnov V., O'Neill K.A., Reynolds S., Rose M.J.
Atmospheric adsorption effects in hot wire chemical vapour deposition microcrystalline silicon films with different electrode configurations
361
Осминкина Л.А., Константинова Е.А., Шаров К.С., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю.
Роль примеси бора в активации свободных носителей заряда в слоях пористого кремния при адсорбции акцепторных молекул
365
Бирюков А.В., Казанский А.Г., Теруков Е.И., Хабарова К.Ю.
Плотность состояний в щели подвижности аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
369
Физика полупроводниковых приборов
Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г.
Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур
372
Тогатов В.В., Гнатюк П.А.
Метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях быстродействующих диодных структур
378
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Виолина Г.Н.
Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок 4H-SiC
382
Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Тарасов И.С.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения
388
Рецензия на книгу В.И. Фистуля "Атомы легирующих примесей в полупроводниках" (М., Физматлит, 2004 г., 432 с. с ил.)
393
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук