Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1
Георгобиани А.Н., Тигиняну И.М.
Антиструктурные дефекты в соединениях A
III
B
V
О б з о р
3
Лебедев А.А., Султанов Н.А.
Влияние ориентированной деформации и gamma-облучения на уровни платины в кремнии
16
Аблова М.С., Абдуманапов У.Ж., Абдурахманов К.П., Куликов Г.С., Уткин-Эдин Д.П., Ходжаев К.X.
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
20
Ивченко Е.Л., Кособукин В.А.
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
24
Обухов С.А.
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
31
Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Ракеш Кумар, Мамутин В.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Шмарцев Ю.В.
Концентрация и подвижность электронов в InP и In
0.53
Ga
0.47
As, легированных редкоземельными элементами
35
Марков А.В., Омельяновский Э.М., Освенский В.Б., Поляков А.Я., Ковальчук И.А., Райхштейн В.И., Тишкин М.В.
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
44
Болотов В.В., Карпов А.В., Стучинский В.А.
Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии
49
Афонин О.Ф., Викторов Б.В., Забродин Б.В., Козловский В.В., Марущак Н.В., Шустров Б.А.
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
56
Пономаренко В.П., Шиманский И.В., Стафеев В.И.
Статические характеристики МДП транзисторов на основе Cd
x
Hg
1-x
Te
62
Берковиц В.Л., Киселев В.А., Минашвили Т.А., Сафаров В.И.
Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений A
III
B
V
66
Стариков Е.В., Шикторов П.Н.
Новый подход к расчету спектра дифференциальной подвижности горячих носителей заряда: прямое моделирование градиента функции распределения методом Монте--Карла
72
Баязитов Р.М., Ивлев Г.Д., Хайбуллин И.Б., Малевич В.Л., Саинов Н.А.
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
79
Буторин О.В., Казанский А.Г.
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
84
Мармур И.Я., Новиков Ю.Б., Оксман Я.А.
Фотоемкостной эффект на запертых p-n-переходах
87
Шаронова Л.В., Полянская Т.А., Нажмудинов X.Г., Каряев В.Н., Зайцева Л.А.
Высота барьера Шоттки Au-GaAs
1-x
Sb
x
93
Тарасик М.И., Шварков Д.С., Янченко А.М.
Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта
97
Красильник З.Ф.
Отрицательные массы и отрицательная проводимость на циклотронном резонансе в полупроводниках p-типа группы A
III
B
V
101
Козырев С.В., Шик А.Я.
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
105
Полупанов А.Ф., Таскинбоев Р.
Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma
+
8
-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках
112
Мастеров В.Ф., Харченко В.А., Хохрякова О.Д.
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
118
Бахадырханов М.К., Абдураимов А., Илиев X.М.
Распад твердого раствора Si<Mn> при всестороннем гидростатическом сжатии
123
Константинов О.В., Мезрин О.А., Царенков Б.В.
Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле
129
Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В., Пятко С.Н., Растегаев В.П., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е.
Электростатические свойства SiC-6H-структур с резким p-n-переходом
133
Семиколенова Н.А.
Поляритоны в арсениде галлия n-типа
137
Алексеенко М.В., Андреев А.Г., Забродский А.Г., Попов В.В.
Эксперименальное определение холл-фактора в сложной валентной зоне p-Ge
140
Бобрикова О.В., Стась В.Ф.
Влияние электрического поля на накопление A, E-центров в кремнии
143
Балтрамеюнас Р., Велецкас Д.
Влияние мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния
146
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Саморуков Б.Е., Стругов Н.А.
Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных редкоземельными элементами
147
Пека Г.П., Пулеметов Д.А., Радзивилюк В.А., Смоляр А.Н., Шимулите Е.А.
Фоточувствительность длинных диодных структур на основе варизонных твердых растворов Al
x
Ga
1-x
As
150
Гицу Д.В., Гринчешен И.Н., Красовский В.Ф., Попович Н.С.
Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах n-TlSbSe
2
152
Балагуров Л.А., Омельяновский Э.М., Пинскер Т.Н., Примбетов К.К., Уткин-Эдин Д.П.
Исследование спектра локальных состояний a-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
155
Баранский П.И., Беляев А.Е., Городничий О.П., Макаренко В.Г.
Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев n-GaP
158
Регель А.Р., Серегин П.П., Мездрогина М.М., Насрединов Ф.С., Аблова М.С., Абдуманапов У.Ж.
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
161
Константинов А.О.
О механизме диффузии бора в карбиде кремния
164
Балагуров Л.А., Омельяновский Э.М., Осташко С.А., Стариков М.Н., Стыс Л.Е.
Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния
168
Вейс А.Н., Гриневич А.В., Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Немов С.А.
Электрофизические и оптические свойства p-PbTe<Ag>
171
Гасымов Т.М., Катанов А.А.
Термоэдс горячих носителей тока в полупроводниках при сильной анизотропии функции распределения фононов
173
Мезрин О.А., Трошков С.И.
Диффузия горячих фотоэлектронов в металл --- эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки
176
Баженов В.К., Кардашев Д.Л., Нахабин А.В.
Электронные состояния одиночных вакансий в ZnSe и CdTe
179
Первое информационное сообщение
181
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук