Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2006, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, выпуск 6
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д.
Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP
641
Назыров Д.Э.
Диффузия тербия в кремнии
650
Жвавый С.П., Зыков Г.Л.
Численное моделирование динамики фазовых переходов в CdTe, инициируемых наносекундным излучением эксимерного лазера
652
Электронные и оптические свойства полупроводников
Покропивный В.В., Бекенев В.Л.
Электронные свойства и объемные модули новых полиморф нитрида бора --- гипералмазного B
12
N
12
и простых кубических B
24
N
24
, B
12
N
12
фулборенитов
656
Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я., Овсюк В.Н.
Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в p-CdHgTe
663
Фочук П.М., Парфенюк О.А., Панчук О.Э.
Электрические характеристики монокристаллов CdTe<Pb> при высоких температурах
667
Каминский В.В., Казанин М.М., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В., Володин Н.М.
Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок сульфида самария
672
Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Гореленко Ю.К., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф.
Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn
676
Гамарц А.Е., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б.
Фотолюминесценция в поликристаллических слоях Pb
1-x
Cd
x
Se, активированных в присутствии паров йода
683
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Пипа В.И.
Излучательное время жизни электронов и дырок в тонком слое полупроводника
686
Низкоразмерные системы
Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Евстифеев Вас.В.
Магнитооптика квантовых ям с D
(-)
-центрами
689
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н.
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
695
Герус А.В., Герус Т.Г.
Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами
701
Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Заморянская И.А., Яговкина М.А., Мусихин Ю.Г., Саксеев Д.А., Конников С.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Копьёв П.С., Пунин В.Т., Илькаев Р.И., Алфёров Ж.И.
Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния gamma-излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
707
Физика полупроводниковых приборов
Авдеев Н.А., Гуртов В.А., Климов И.В., Яковлев Р.А.
Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур с учетом флуктуационной и туннельной теоретических моделей
711
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления
717
Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов С.М., Черников Е.В.
Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова
724
Косяченко Л.А.
Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe
730
Захаров Д.Н., Калыгина В.М., Нетудыхатко А.В., Панин А.В.
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs
747
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Брунков П.Н., Тарасов И.С., Тонких А.А., Улин В.П., Устинов В.М., Цырлин Г.Э.
Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)B
x
в СВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц
753
Бадгутдинов М.Л., Коробов Е.В., Лукьянов Ф.А., Юнович А.Э., Коган Л.М., Гальчина Н.А., Рассохин И.Т., Сощин Н.П.
Спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n-гетероструктур InGaN/GaN, покрытых люминофорами
1
758
Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Рудова Н.А., Соколова З.Н., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С.
Мощные лазеры (lambda=940-980 нм) на основе асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры раздельного ограничения
764
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme