Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2001, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, выпуск 5
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Лукьяница В.В.
Колебательные "реакции" в термообрабатываемом кремнии с участием фоновых примесей кислорода и углерода
513
Электронные и оптические свойства полупроводников
Магомедов Я.Б., Билалов А.Р.
Теплопроводность и соотношение Видемана--Франца в расплавах антимонидов индия и галлия
521
Акимов Б.А., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Васильков В.Н.
Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga)
524
Амиров Р.Х., Гусятников В.Н.
Динамическое влияние постоянного электрического поля на кинетику фотонов, взаимодействующих с электронами полупроводника
528
Морозова Н.К., Каретников И.А., Блинов В.В., Гаврищук Е.М.
Исследование спектров инфракрасной люминесценции ZnSe, содержащего медь и кислород
534
Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Прохорович А.В., Стрильчук О.Н.
О природе полосы люминесценции с hnu
m
=1.5133 эВ в арсениде галлия
537
Некруткина О.В., Сорокин С.В., Кайгородов В.А., Ситникова А.А., Шубина Т.В., Торопов А.А., Иванов С.В., Копьев П.С., Рёшер Г., Вагнер В., Гоерц Дж., Вааг А., Ландвер Г.
Новый материал для активной области приборов сине-зеленого спектрального диапазона --- BeCdSe
541
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Иванкив И.М., Яфясов А.М., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д.
Методика определения стехиометрического состава твердого раствора кадмий--ртуть--теллур из вольт-фарадных характеристик
546
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Николаев А.Е., Фомин А.В., Черенков А.Е.
Механизм протекания тока в омическом контакте Pd--сильно легированный p-Al
x
Ga
1-x
N
550
Одноблюдов В.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Малеев Н.А., Семенова Е.С., Устинов В.М.
Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
554
Булярский С.В., Жуков А.В.
Анализ мезанизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик барьеров металл--GaAs
560
Низкоразмерные системы
Карпович И.А., Горшков А.П., Левичев С.Б., Морозов С.В., Звонков Б.Н., Филатов Д.О.
Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит
564
Агринская Н.В., Иванов Ю.Л., Устинов В.М., Полоскин Д.А.
Проявление верхней зоны Хаббарда в проводимости двумерных структур p-GaAs--AlGaAs
571
Завьялов Д.В., Крючков С.В.
Проводимость сверхрешетки в условиях воздействия нелинейной электромагнитной волны
575
Булгаков А.А., Шрамкова О.В.
Нелинейное взаимодействие волн в полупроводниковой сверхрешетке
578
Прокофьев А.А., Одноблюдов М.А., Яссиевич И.Н.
Функция распределения горячих носителей заряда при резонансном рассеянии
586
Санкин В.И., Шкребий П.П.
Электронный транспорт в естественной сверхрешетке карбида кремния в режиме квантования Ванье--Штарка: фундаментальные и прикладные аспекты
594
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Голикова О.А., Богданова Е.В., Казанин М.М., Кузнецов А.Н., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Остапенко О.В.
Структурная сетка кремния в пленках a-Si : H, содержащих упорядоченные включения
600
Кузнецов С.Н., Пикулев В.Б., Сарен А.А., Гардин Ю.Е., Гуртов В.А.
Возбуждение люминесценции пористого кремния при адсорбции молекул озона
604
Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Смирнова Н.Н.
Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии
609
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Жихарев В.А., Хайбуллин И.Б.
Влияние бомбардировки ионами углерода на наноструктуру алмазоподобных пленок
612
Физика полупроводниковых приборов
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Электролюминесценция светодиодов на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP (lambda=3.3-4.3 мкм) в интервале температур 20-180
o
C (продолжение
*
)
619
Павелец С.Ю., Бобренко Ю.Н., Комащенко А.В., Шенгелия Т.Е.
Новая структура поверхностно-барьерного сенсора ультрафиолетового излучения на основе CdS
626
Козлов В.А., Кардо-Сысоев А.Ф., Брылевский В.И.
Волновой ударно-ионизационный пробой дрейфовых диодов с резким восстановлением
629
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук