Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 1
Козловский В.В., Захаренков Л.Ф., Шустров Б.А.
Трансмутационное легирование полупроводников под действием заряженных частиц (О б з о р)
3
Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В.
Пары Френкеля в германии и кремнии (О б з о р)
22
Пикус Ф.Г.
Экситоты в квантовых ямах с двумерным электронным газом
45
Пикус Ф.Г., Голант Г.В.
Температурная зависимость подвижности двумерного электронного газа, ограниченной примеси рассеянием, в гетероструктурах с широким слоем
59
Голикова О.А., Бабаходжаев У.С., Дубро В.В., Икрамов Р.Г., Казанин М.М., Мездрогина М.М., Яфаев Р.Р.
Фотопроводимость и плотность состояний аморфного гидрированного кремния, легированного бором
66
Голикова О.А., Икрамов Р.Г., Казанин М.М.
Исследование электропереноса дырок в аморфном гидрированном кремнии методом фото-ВАХ
71
Сырбу Н.Н., Морозова В.И., Стратан Г.И.
Поглощения на связанных и свободных экситонах в ZnP
2
-D
8
4
74
Зебрев Г.И.
Вольт-амперная характеристика МОП транзистора с учетом зависимости подвижности от продольного электрического поля
83
Георгицэ Е.И., Гуцуляк Л.М., Иванов-Омский В.И., Мастеров В.Ф., Смирнов В.А., Штельмах К.Ф.
Структура примесного центра марганца в антимониде галлия
89
Панов В.П., Панова Г.Д., Шейнкман М.К.
Долговременные релаксации проводимости, обусловленные фотостимулированной диффузией кислорода по межзеренным границам в пленках сульфида кадмия
95
Гуревич С. А., Екимов А.И., Кудрявцев И. А., Осинский А.В., Скопина В.И., Чепик Д.И.
Получение и исследование пленок SiO
2
, активированных полупроводниковыми нанокристаллами CdS
102
Водаков Ю.А., Вольфсон А.А., Зарицкий Г.В., Мохов Е.Н., Остроумов А.Г., Роенков А.Д., Семенов В.В., Соколов В.И., Сыралев В.А., Удальцов В.Е.
Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
107
Вуль А.Я., Макарова Т.Л., Осипов В.Ю., Зинчик Ю.С., Бойцов С.К.
Кинетика окисления кремния и структура окисных слоев толщиной менее 50 ангстрем
111
Ляпилин И.И., Кулеев И.Г., Карягин В.В.
Явления переноса в квантовой яме, содержащей примеси с переменной валентностью
122
Герчиков Л.Г., Субашиев А.В.
Спиновое расщепление подзон размерного квантования в несимметричных гетероструктурах
131
Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Ханкина С.И.
Особенности распространения "внутренних" электростатических волн в неоднородной плазмоподобной среде
140
Вуль А.Я., Дидейкин А.Т., Осипов В.Ю., Бойцов С.К., Зинчик Ю.С., Макарова Т.Л.
Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики кремниевых ПДП структур с толщиной диэлектрика менее 50 ангстрем
146
Жуковский П.В.
Влияние условий ионной имплантации на дефектообразование в кремнии
150
Давыдов И.А., Страхов Л.П., Целищев С.Л.
Роль объемных глубоких центров в формировании поверхностной фотоэдс в низкоомных монокристаллах ZnSe
159
Кязым-заде А.Г.
О связи между порогами протекания в теории протекания
169
Зуев В.В., Клышевич А.И., Стяпонавичюс А.А., Яковлев М.П.
Температурная зависимость времени релаксации фотопроводимости n-Cd
x
Hg
1-x
Te в микроволновом поле
171
Бакши И.С., Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Петряков В.А., Сальков Е.А., Хижняк Б.И.
Влияние компенсирующего отжига на шум 1/f в Cd
x
Hg
1-x
Te
173
Колковский И.И., Латышенко В.Ф., Лугаков П.Ф., Шуша В.В.
Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов
176
Жалко-Титаренко И.В., Крайчинский А.Н., Рогуцкий И.С.
Непереориентируемая дивакансия в кремнии
180
Вязовский М.В., Крючков С.В.
Радиоэлектрический эффект в сверхрешетках в импульсном режиме облучения
184
Идлис Б.Г., Фролов В.Д.
К вопросу о шумах в полупроводниковых структурах с инжекционной неустойчивостью
187
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
192
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук