Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 12
Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.Н.
Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики
2113
Зайнабидинов С.З., Тураев А.Р., Фистуль В.И., Ходжаев М.Д.
Распад преципитатов никеля в монокристаллах кремния под влиянием всестороннего сжатия
2118
Байрамов М.А., Веденеев А.С., Ждан А.Г.
Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si-n-канала
2122
Берман Л.С., Жепко В.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н.
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2129
Васильев А.М., Копьев П.С., Надточий М.Ю., Устинов В.М.
Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции delta-легированного GaAs
2133
Алекперов С.А., Кенгерли Д.Ф.
1/f-шум дисков Корбино из InSb в сильных магнитных полях
2138
Лисянский М.И., Лукьянчикова Н.Б.
Исследование природы шума в нестабильных GaP : N-светодиодах
2143
Лобанова Н.Е., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И., Потапова Л.В.
Немонотонный характер дозовой зависимости электрических свойств и химической стойкости азотированного ионной имплантацией кремния
2149
Кикоин К.А., Курек И.Г., Мельничук С.В.
Энергетический спектр примесей 3d-элементов в CdTe
2153
Гирка А.И., Кулешин В.А., Мокрушин А.Д., Мохов Е.Н., Свирида С.В., Шишкин А.В.
Позитронная диагностика вакансионных дефектов в облученном электронами карбиде кремния
2159
Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Планкина С.М., Степихова М.В., Шилова М.В.
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2164
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Gamma X-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния на междолинных фононах
2171
Волков А.С., Липко А.Л., Меретлиев Ш.М., Царенков Б.В.
Спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника
2179
Германенко А.В., Миньков Г.М., Румянцев Е.Л., Рут О.Э.
Одноосно деформированный p-HgMnTe с varepsilon
g
>0: гальваномагнитные эффекты, энергетический спектр
2190
Джахуташвили Т.В., Михелашвили В.М., Сагинури М.И., Скакун Т.А., Чиковани Р.И.
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga
1-x
Al
x
P
2198
Якунин М.В., Арапов Ю.Г.
Резонансы гальваномагнитных эффектов в Hg
1-x
Cd
x
Te в сильных электрических полях
2203
Герчиков Л.Г., Субашиев А.В.
Немонотонная зависимость ширины запрещенной зоны в пленке бесщелевого полупроводника
2210
Городниченко О.К., Коваленко В.Ф.
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2214
Шишияну Ф.С., Показной И.И., Смирнов Е.B., Чебан В.В., Шонтя В.П.
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
2218
Абдусаттаров А.Г., Емцев В.В., Машовец Т.В.
Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии
2221
Мартяхин В.А.
Рекомбинационные свойства полупроводниковых сплавов n-Bi
1-x
Sb
x
2223
Лебедев А.А., Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Далиев X.С., Утамурадова Ш.Б.
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2227
Мастеров В.Ф., Савельев В.П., Штельмах К.Ф., Захаренков Л.Ф.
Свойства сильно легированных кристаллов InP<Yb> и InP<Er>
2229
Абакумов В.Н., Пахомов А.А., Шейнкман М.К., Яссиевич И.Н.
Новый "электронный" механизм энергетической релаксации локальных колебаний сильно возбужденных дефектов
2232
Богачек Э.H., Шкорбатов А.Г.
Асимметрия тепловыделения и термоэдс в полупроводниковых микроконтактах
2234
Дугаев В.К., Петров П.П.
Уровни, создаваемые короткодействующим потенциалом дефектов и примесей, в квантовых ямах на основе полупроводников типа A
IV
B
VI
2238
Москвина Д.Р., Пецольдт Й., Потапов Е.Н., Таиров Ю.М.
Политипный фазовый переход, индуцированный ионной имплантацией
2240
Берча А.И., Ермаков В.Н., Коломоец В.В., Назарчук П.Ф., Панасюк Л.И., Федосов А.В.
Переход от металлической проводимости к активационной в одноосно деформированном n-Ge<Sb>
2244
Именной указатель
2246
Предметный указатель
2277
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук