Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2000, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, выпуск 10
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Потапов А.В.
Оценка перемешивания состава в окрестности границ гетероэпитаксиальных структур Si(Ge) / Si
1-x
Ge
x
, выращиваемых методом молекулярнo-пучковой эпитаксии с комбинированными источниками Si и GeH
4
1153
Электронные и оптические свойства полупроводников
Качлишвили З.С., Метревели Н.К.
Захват горячих электронов на отрицательно заряженные центры в приближении квазиупругого рассеяния
1159
Макаренко Л.Ф.
Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса вакансия--кислород в кремнии
1162
Детчуев Ю.А., Крячков В.А., Пель Э.Г., Санжарлинский Н.Г.
Токи, ограниченные пространственным зарядом, в синтетическом полупроводниковом алмазе
1166
Тагиев Б.Г., Касумов У.Ф., Мусаева Н.Н., Джаббаров Р.Б., Абушов А.С.
Оптические свойства соединения Ca
4
Ga
2
S
7
: Eu
2+
1170
Жуковский П.В., Партыка Я., Венгерэк П., Шостак Ю., Сидоренко Ю., Родзик А.
Диэлектрические свойства соединений Cd
1-x
Fe
x
Se
1174
Свечников С.В., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н., Родионов В.Е., Хомченко В.С., Бережинский Л.И., Прокопенко И.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Коломзаров Ю.В., Цыркунов Ю.А.
Люминесцирующие пленки ZnS : Cu, полученные химическим методом
1178
Лебедев А.А., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П., Якимова Р., Syvajarvi M., Janzen-=SUP=-*-=/SUP=- E.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии в вакууме
1183
Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А.
Низкотемпературные особенности фотоэлектрических свойств кристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te с дырочной проводимостью: влияние вымораживания дырок и упругого напряжения
1187
Долженко Д.Е., Демин В.Н., Иванчик И.И., Хохлов Д.Р.
Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe(Ga) при отжиге
1194
Грушка О.Г., Горлей П.М., Бесценный А.В., Грушка З.М.
Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg
3
In
2
Te
6
1197
Гуткин А.А., Рещиков М.А., Седов В.Е.
Сопоставление поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te при одноосном давлении и резонансном поляризованном возбуждении
1201
Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю.
Эволюция плотности состояний в процессе фазовых превращений пленок сульфотеллуридов кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях
1208
Гребенкин К.Ф., Кутепов А.Л.
Оценка ширины запрещенной зоны молекулярного кристалла триаминотринитробензола по методу функционала плотности
1212
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Стучинский В.А., Камаев Г.Н.
Статическая и высокочастотная поперечная проводимость изотипных кремниевых структур, полученных методом прямого сращивания
1214
Пелещак Р.М., Лукиянец Б.А., Зегря Г.Г.
Влияние электрического поля на напряженное состояние гетероструктуры
1223
Бочкарева Н.И., Хорев С.А.
Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO
2
на фотоответ кремниевых барьерных структур
1228
Джанелидзе Р.Б., Джанелидзе М.Б., Кациашвили М.Р.
Исследование структуры Al--Ge
3
N
4
--Ge методом фото-вольт-фарадных характеристик
1234
Козловский В.И., Трубенко П.А., Коростелин Ю.В., Роддатис В.В.
Распределенные брэгговские зеркала на основе ZnMgSe/ZnCdSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках ZnSe
1237
Низкоразмерные системы
Кревчик В.Д., Зайцев Р.В., Евстифеев В.В.
К теории фотоионизации глубоких примесных центров в параболической квантовой яме
1244
Каминский В.Э.
Модель проводимости жгутов и пленок из углеродных нанотруб
1250
Журавлев К.С., Кобицкий А.Ю.
Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния
1254
Физика полупроводниковых приборов
Богатов А.П., Болтасева А.Е., Дракин А.Е., Белкин М.А., Коняев В.П.
Аномальная дисперсия, дифференциальное усиление и дисперсия alpha-фактора в напряженных квантово-размерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs
1258
Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Ведерников М.В.
Искусственно анизотропный термоэлектрический материал с полупроводниковыми и сверхпроводящими слоями
1265
Есаев Д.Г., Синица С.П.
Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью
1270
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.
Механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики диодных структур n
+
-Si--n-Si--Al
2
O
3
--Pd
1275
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук