Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2015, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10--14 марта 2014 г.
Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С.
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10--14 марта 2014 г. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
3
Чалдышев В.В., Большаков А.С., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Яговкина М.А.
Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN
6
Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А.
Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb
11
Жукавин Р.Х., Ковалевский К.А., Орлов М.Л., Цыпленков В.В., Бекин Н.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Pavlov S.G., Abrosimov N.V., Hubers H.-W., Radamson H.H., Шастин В.Н.
Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
15
Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Новиков А.В., Шалеев М.В.
Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)
21
Фатеев Д.В., Машинский К.В., Багаева Т.Ю., Попов В.В.
Возбуждение плазмонных терагерцовых фотогальванических эффектов в периодической двумерной электронной системе методом нарушенного полного внутреннего отражения
25
Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Софронов А.Н., Балагула Р.М., Махов И.С., Козлов Д.В., Васильев А.П.
Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке
30
Гайслер В.А., Гайслер А.В., Ярошевич А.С., Деребезов И.А., Качанова М.М., Живодков Ю.А., Гаврилова Т.А., Медведев А.С., Ненашева Л.А., Грачев К.В., Сандырев В.К., Кожухов А.С., Шаяхметов В.М., Калагин А.К., Бакаров А.К., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Асеев А.Л.
Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
35
Германенко А.В., Миньков Г.М., Рут О.Э., Шерстобитов А.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.
Энергетический спектр и транспорт в узких квантовых ямах HgTe
41
Горбунов А.В., Тимофеев В.Б.
Непрямые в реальном и импульсном пространстве диполярные экситоны в гетероструктуре GaAs/AlAs
47
Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов C.В., Байдусь Н.В.
Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями
53
Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В.
Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
58
Князева М.В., Настовьяк А.Г., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л.
Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост
63
Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А.
Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
71
Кукушкин В.А.
Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье-Мотта в полупроводниковых нанокластерах
76
Ларионов А.В.
Cпиновая когерентность двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме
82
Малеев Н.А., Блохин С.А., Бобров М.А., Кузьменков А.Г., Блохин А.А., Moser P., Lott J.A., Bimberg D., Устинов В.М.
Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления
89
Алексеев А.Н., Красовицкий Д.М., Петров С.И., Чалый В.П., Мамаев В.В., Сидоров В.Г.
Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III-N HEMT гетероструктур
94
Павлов Д.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И.
Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
98
Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А.
Исследование delta-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
102
Полищук О.В., Попов В.В., Кнап В.
Сверхширокополосная антенна ближнего поля для применения в терагерцовой плазмонике
107
Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А.
Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения
112
Алешкин В.Я., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В.
Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в n-GaAs, обусловленной остыванием электронов
117
Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В.
Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs
122
Садофьев Ю.Г., Мартовицкий В.П., Базалевский М.А., Клековкин А.В., Аверьянов Д.В., Васильевский И.С.
Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
128
Тетерин П.Е., Аверьянов Д.В., Cадофьев Ю.Г., Парфенов О.Е., Лихачев И.А., Сторчак В.Г.
Выращивание гетероэпитаксиальных структур EuO/Si и EuO/SrO/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
134
Травкин В.В., Пахомов Г.Л., Дроздов М.Н., Королев С.А., Машин А.И., Логунов А.А.
Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках
138
Персоналии
Памяти Ярослава Евгеньевича Покровского 15.01.1928-24.01.2014
142
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук