Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2012, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11
XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.
Калинин П.А., Кочаровский В.В., Кочаровский Вл.В.
Проблема лазерной генерации в ловушках для бозе-конденсации диполярных экситонов
1377
Мурель А.В., Новиков А.В., Шашкин В.И., Юрасов Д.В.
Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
1384
Морозов С.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Румянцев В.В., Гавриленко В.И., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Drachenko O., Winnerl S., Schneider H., Helm M.
Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg
x
Cd
1-x
Te/Cd
y
Hg
1-y
Te
1388
Садофьев Ю.Г.
Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм
1393
Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Кузнецов В.П., Яблонский А.Н.
Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
1398
Морозов С.В., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Садофьев Ю.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В.
Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
1402
Пахомов Г.Л., Травкин В.В., Тропанова А.Н., Гудков Е.А., Дроздов Ю.Н.
Прототипы фотовольтаических ячеек на основе субфталоцианина с нижним буферным слоем
1408
Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В.
Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором
1414
Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Хрыкин О.И., Юнин П.А.
Анализ состава твердых растворов (Al,Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии
1419
Спирин К.Е., Калинин К.П., Криштопенко С.С., Маремьянин К.В., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г.
Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
1424
Ушаков Д.В., Садофьев Ю.Г., Samal N.
Исследование способов уменьшения частоты генерации терагерцового квантово-каскадного лазера с каскадом, состоящим из двух квантовых ям
1430
Яблонский А.Н., Андреев Б.А., Крыжков Д.И., Кузнецов В.П., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф.
Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
1435
Крыжков Д.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Сергеев С.М., Курицын Д.И., Маремьянин К.В., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г.
Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
1440
Антонов А.В., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Молдавская Л.Д., Шашкин В.И.
Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой
1444
Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Кудрявцев К.Е., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф., Захаров Н.Д., Werner P.
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
1448
Горбунов А.В., Тимофеев В.Б.
Электрооптическая ловушка для дипольных экситонов
1453
Алексеев А.Н., Красовицкий Д.М., Петров С.И., Чалый В.П.
Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1460
Берковиц В.Л., Гордеева А.Б., Львова Т.В., Улин В.П.
Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb
1463
Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Abrosimov N.V., Riemann H.
Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом
28
Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
1468
Романова Ю.Ю., Орлов М.Л., Романов Ю.А.
Туннелирование и токовые характеристики в двуминизонных сверхрешетках
1475
Романова Ю.Ю.
Параметрическая генерация высокочастотных гармоник в полупроводниковых сверхрешетках
1483
Талалаев В.Г., Тонких А.А., Захаров Н.Д., Сеничев А.В., Tomm J.W., Werner P., Новиков Б.В., Asryan L.V., Fuhrmann B., Schilling J., Leipner H.S., Буравлев А.Д., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Сошников И.П., Цырлин Г.Э.
Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
1492
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук