Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4
Цидильковский И.М.
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
593
Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф.
Редкоземельные элементы в полупроводниках A
III
B
V
О б з о р
610
Ван Си-фу, Сии Сюй, Цзян Вэй
Расчет аномального эффекта Холла при комнатной температуре в термообработанном образце n-Ge
631
Варванин Н.А., Губанков В.Н., Котельников И.Н., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мордовец Н.А.
Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
635
Мезрин О.А., Трошков С.И., Шик А.Я.
Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе
638
Кондратьев Б.С., Попов И.В., Стрельчук А.М., Тиранов М.Л.
Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых p-n-структурах
647
Берт Н.А., Воробьева В.В., Воронцова М.В., Крещук А.М., Новиков С.В., Погребицкий К.Ю., Савельев И.Г., Сайфидинов Д.Ж., Сошников И.П., Шик А.Я.
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In
0.53
Ga
0.47
As
653
Гончарова А.Г., Зуев В.В.
Особенности температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике, содержащем амфотерную U
-
-примесь
660
Городилов Н.А., Доманская Л.И., Нейфельд Э.А., Шелушинина Н.Г.
Термоэдс теллурида ртути в магнитном поле
664
Крохмаль А.П., Кошеленко В.П.
Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC
669
Гашимзаде Ф.М., Надирзаде Р.С., Исмаилов Т.Г., Белецкий В.И., Павлов С.Т.
Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике
673
Степуренко А.А., Алиев К.М., Абакарова Н.С.
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
678
Васько Ф.Т.
Поляризованная субмиллиметровая люминесценция горячих дырок
682
Аронзон Б.А., Арапов Ю.Г., Зверева М.Л., Никитин М.С., Цидильковский И.М., Чумаков Н.К.
Проводимость n-Hg
1-x
Cd
x
Te в магнитных полях, превышающих поле перехода металл-диэлектрик
687
Белянцев А.М., Романова Ю.Ю.
Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей
692
Агринская Н.В., Шашкова В.В.
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
697
Журавлев К.С., Морозов Б.В., Терехов А.С., Якушева Н.А.
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
702
Яковлев В.А., Яковлев С.В.
Температурная и концентрационная зависимости положения линии излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых растворов Zn
x
Cd
1-x
S
706
Васильев В.А., Волков А.С., Мусабеков Е., Теруков Е.И., Челноков В.Е., Чернышев С.В., Шерняков Ю.М.
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si
1-x
C
x
: H
710
Копьев П.С., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Надточий М.Ю., Устинов В.М.
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
717
Денис В., Мартунас З., Шяткус А.
Электропроводность n
+
-n-n
+
-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле
720
Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В.
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
724
Баранов И.А., Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрунин А.П., Цепелевич С.О., Шахлевич Л.Н.
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ~ 100 а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
731
Пека Г.П., Токалин О.А., Химичев А.И.
Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур
736
Горфинкель В.Б., Филатов И.И.
Разогрев электронного газа высокочастотным электрическим полем в активной области полупроводникового гетеролазера
742
Оконечников А.П., Мельник Н.Н., Гаврилов Ф.Ф.
Влияние облучения ионами He
2+
на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe
747
Шикина Н.И., Шикин В.Б.
Нелинейные особенности ВАХ для барьеров с седловыми точками
749
Усеинов Р.Г., Зебрев Г.И.
Простой метод определения плотности поверхностных состояний по температурным измерениям ВАХ МОП транзисторов
752
Федосов А.В., Букало В.Р., Ящинский Л.В.
Особенности пьезосопротивления gamma-облученного n-Ge при подсветке
754
Дехтяр Ю.Д., Сагалович Г.Л.
Кинетика дефектообразования в кремнии при имплантации в него ионов фосфора
757
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Рустамов А.Г.
Оптические свойства монокристаллов MnGa
2
S
4
758
Дынин Е.А.
Статистические моменты при квантовом туннелировании
761
Дубров И.Н., Козловский С.И., Коростышевский Ю.М., Моин М.Д.
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия при лазерном возбуждении
763
Аветисян С.К., Минасян Г.Р., Энфиаджян Р.Л.
Нелинейное поглощение инфракрасного излучения в n-Ge при низких температурах
766
Голикова О.А., Заец А.И., Казанин М.М., Петров И.Н.
Исследование переноса дырок в аморфном гидрированном кремнии методом видикона
768
Аннотации депонированных статей
772
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук