Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9
Мехтиев Н.М.
Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
1505
Бумялене С., Пирагас К., Ченис А.
Исследование размерности странного аттрактора и амплитудного порога синхронизации хаотических автоколебаний фототока в n-Ge(Ni)
1509
Федоров А.В., Перлин Е.Ю.
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
1516
Мусатов А.Л., Израэльянц К.Р., Коротких В.Л., Филиппов С.Л., Руссу Е.В., Дякону И.И.
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
1523
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Исследование долговременной релаксации фотопроводимости в Si в связи с проблемой шума 1/f
1531
Минтаиров А.М., Смекалин К.Е., Устинов В.М., Хвостиков В.П.
Комбинационное рассеяние света на смешанных LO-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах n-Al
x
Ga
1-x
As (x>0.4)
1539
Балтрамеюнас Р., Геразимас Э., Жукаускас А., Крюкова И.В., Теплицкий В.А., Юршенас С.
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1550
Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Половцев И.С., Суханов В.Л.
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии n-типа. I. Геттерирующие микродефекты
1557
Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Половцев И.С., Суханов В.Л.
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
1563
Долманов И.Н., Рыжий В.И., Толстихин В.И.
Кинетические эффекты в инжекторе с резонансным туннелированием электронов
1574
Штельмах К.Ф., Терлецкий И.А., Романов В.В.
О состоянии европия в фосфиде индия
1584
Житинская М.К., Карпов А.А., Немов С.А.
Примесные состояния таллия в Pb
1-x
Ge
x
Te
1589
Радауцан С.И., Сырбу Н.Н., Львин В.Э., Доника Ф.Г.
Колебательные спектры кристаллической решетки политипов соединений Zn
m
In
2
S
3+m
1592
Болгов С.С., Владимиров В.В., Малютенко В.К., Савченко А.П.
Винтовая неустойчивость в варизонных полупроводниках
1598
Лупал М.В., Лютович К.Л., Панов М.Ф., Пихтин А.Н., Попов В.А.
Параметры зонной структуры твердых растворов Si
x
Ge
1-x
1604
Довгий Я.О., Китык И.В., Маньковская И.Г., Евстигнеева Л.Н.
Поляризованные оптические спектры монокристаллов Tl
3
SbS
3
1608
Солдатов В.С., Воеводин А.Г., Варлашов И.Б., Коляда В.А., Соболев Н.В.
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
1611
Генкин Г.М., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Шастин В.Н.
Исследование n-HgTe в сильных электрических полях
1616
Архипов В.И., Храмченков Д.В.
Релаксационные процессы в структурах металл-аморфный полупроводник-металл
1618
Адилов К.А., Турсунов Ш.С.
Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном селеном
1624
Казанский А.Г., Климашин И.В., Кузнецов С.В.
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
1628
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Максимова О.Г., Осипов Е.Б.
Влияние центров Mn
Ga
в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
1632
Сурис Р.А., Щамхалова Б.С.
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
1638
Журавлев К.С., Чикичев С.И., Штаске Р., Якушева Н.А.
Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs : Ge методом фотолюминесценции
1645
Вывенко О.Ф., Истратов А.А., Хлебов А.Г.
Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS
1650
Лукьянчикова Н.Б., Гарбар Н.П., Петричук М.В., Кропман Д.И.
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
1659
Грессеров Б.Н., Мнацаканов Т.Т.
Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах
1668
Джамагидзе Ш.З., Лагвилава Т.А., Швангирадзе Р.Р.
О коэффициенте термоэдс в эпитаксиальной структуре GaP
1670
Крутоголов Ю.К., Баркова Т.Б., Диордиев С.А., Крутоголова Л.И., Лебедева Л.В.
Влияние разупорядоченности на фотолюминесценцию твердых растворов In
1-x
Ga
x
P : Te переходного" диапазона составов
1673
Васильев В.А., Дышловенко П.Е., Копылов А.А., Лютович К.Л.
Примесная фотопроводимость эпитаксиальных слоев Ge
x
Si
1-x
, легированных фосфором
1675
Болгов С.С., Малютенко В.К., Пипа В.И., Савченко А.П., Юнович А.Э.
Люминесценция варизонных структур Cd
x
Hg
1-x
Te в условиях магнитоконцентрационного эффекта
1677
Нгуен Хонг Шон
Фотостимулированный поперечный радиоэлектрический эффект при межзонной подсветке
1681
Бродовой А.В., Бродовой В.А., Лашкарев Г.В.
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
1684
Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Птицын В.Ю.
Некоторые свойства индуцированных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
1685
Глебов С.С., Егоров В.В., Капустин Ю.А., Колокольников Б.М., Свешников А.А.
Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-Pt
a
Si
b
в результате воздействия импульсной фотонной обработки
1689
Копьев П.С., Леденцов Н.Н.
Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах
1691
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук