Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10
Прокопьев Е.П.
Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами
1681
Бобицкий Я.В., Берча А.И., Дмитрук Н.Л., Корбутяк Д.В., Фидря Н.А.
Исследование лазерного геттерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения
1688
Вывенко О.Ф., Истратов А.А.
Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
1693
Сырбу Н.Н., Пасечник Ф.И.
Колебательные спектры и эффективные ионные заряды в кристаллах AgAsS
2
и TlAsS
2
1701
Алфёров Ж.И., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Иванов С.В., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Устинов В.М.
Выращивание квантовых кластеров GaAs-AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1715
Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П., Козловский С.И., Романов В.А.
Перераспределение концентрации инжектированных носителей заряда в искусственно анизотропной полупроводниковой пластине с кольцевыми электродами
1723
Иванов-Омский В.И., Харченко В.А., Цыпишка Д.И.
Спектр мелкого акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном поле
1728
Пышная Н.Б., Радауцан С.И., Чалдышев В.В., Чумак В.А., Шмарцев Ю.В.
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии
1737
Кудрявцев Ю.А., Новиков Е.Б., Стусь Н.М., Чайкина Е.И.
Сульфидная пассивация поверхности арсенида индия
1742
Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов X.М., Слободчиков С.В., Фетисова В.М.
Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd-p-p
+
-InP и изменение их в атмосфере водорода
1750
Беляев А.П., Рубец В.П., Тошходжаев X.А., Калинкин И.П.
Инжекционно-контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка
1755
Соболев М.М., Гитцович А.В., Папенцев М.И., Кочнев И.В., Явич Б.С.
Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой
1760
Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Радченко М.В., Мирец А.Л., Паренская Е.С., Никитин М.С., Растегин Ю.И., Колесник С.П.
Электрические, термоэлектрические и магнитные свойства Cd
0.2
Hg
0.8
Te, легированного индием
1768
Василевский К.В.
Расчет динамических характеристик лавинно-пролетного диода на карбиде кремния
1775
Вергелес М.В., Меркулов И.А.
К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
1784
Игнатьев А.С., Каминский В.Э., Копылов В.Б., Мокеров В.Г., Немцев Г.3., Шмелев С.С., Шубин В.С.
Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
1795
Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Абрамов В.В., Тимофеев А.Б., Ульяшин А.Г., Шлопак Н.В.
Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния
1801
Яссиевич И.Н., Чистяков В.М.
Неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний при многофононной рекомбинации
1815
Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Мирец А.Л., Зыков Г.А.
Электронное состояние примеси индия в узкощелевых полупроводниках Pb
0.82
Sn
0.18
Te, Cd
0.2
Hg
0.8
Te
1825
Коварский В.А., Чеботарь В.Н.
Электрон-фононный механизм уширения оптических полос поглощения в квазинульмерных кристаллах
1828
Мухитдинов А.М., Стафеев В.И.
Время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях Cd
x
Hg
1-x
Te p-типа проводимости
1830
Белявский В.И., Капустин Ю.А., Свиридов В.В.
Интерпретация неравновесных емкостных спектров A-центров, вводимых при импульсной фотонной обработке кремния
1832
Кашкаров П.К., Русина М.В., Тимошенко В.Ю.
Модификация коэффициента отражения полупроводников A
III
B
V
при импульсном лазерном облучении
1835
Кабанов В.Ф.
Исследование фотоэлектрических свойств пленок магнитного полупроводника Eu
1-x
Sm
x
O
1837
Новиков А.П., Гусаков Г.А., Комаров Ф.Ф., Толстых В.П.
О механизме ионно-индуцированной кристаллизации в кремнии
1841
Абдураимов А., Зайнабинидов С.3., Тешабаев А., Маматкаримов О.О., Химматкулов О.
Механизм тензоэффекта в n-Si<Mn> при всестороннем гидростатическом сжатии
1845
Алешкин В.Я., Аншон А.В., Батукова Л.М., Демидов Е.В., Демидова Е.Р., Звонков Б.Н., Карпович И.А., Малкина И.Г.
Фотолюминесценция в delta-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия
1848
Апсит А.Р.
Возникновение нормального электрического поля при ускоренном дрейфовом движении носителей заряда в полупроводнике с постоянным током
1850
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук