Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 10
Болотов В.В., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Эмексузян В.М.
Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием
1697
Ващенко В.А., Кернер Б.С., Осипов В.В., Синкевич В.Ф.
Возбуждение и эволюция микроплазм --- пичковых автосолитонов в кремниевых p-i-n-структурах
1705
Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П.
Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8-2.4 мкм
1708
Гуревич Ю.Г., Логвинов Г.Н.
Функция распределения (ФР) электронов в субмикронных слоях в греющих электрических полях
1715
Лугаков П.Ф., Лукьяница В.В.
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
1721
Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
1726
Георгицэ Е.И., Иванов-Омский В.И., Погорлецкий В.М., Пиотровский Т., Смирнов В.А.
Фотопроводимость p-Mn
x
Hg
1-x
Te в магнитном поле
1732
Кудинов В.А., Пека Г.П., Смоляр А.Н.
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
1736
Тарасенко А.А., Чумак А.А.
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
1742
Артамонов В.В., Валах М.Я., Нечипорук Б.Д., Романюк Б.Н., Стрельчук В.В.
Исследование эффекта ионно-пучкового отжига аморфизированных имплантацией приповерхностных слоев Si по спектрам КРС
1747
Абрамян Ю.А., Папазян К.З., Стафеев В.И.
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb
1-x
Sn
x
Te<In> при различных уровнях фоновых засветок
1752
Андреев В.М., Аксенов В.Ю., Казанцев А.Б., Пруцких Т.А., Румянцев В.Д., Танклевская Е.М., Хвостиков В.П.
Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730-850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
1757
Германенко А.В., Ларионова В.А.
Определение констант деформационного потенциала в HgCdTe
1762
Глузман Н.Г., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.Д., Боднарук О.А., Горбатюк И.Н., Раренко И.М.
Особенности гальваномагнитных эффектов в n-Hg
1-x-y
Cd
x
Mn
y
Te при переходе металл-диэлектрик
1766
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
1772
Арутюнов Н.Ю., Соболев Н.А., Тращаков В.Ю., Шек Е.И.
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
1785
Глазов В.М., Ким С.Г.
Распространение ультразвука в жидком кремнии
1790
Сирацкий В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л., Шпинар Л.И., Ясковец И.И.
Электронные свойства бистабильных дефектов
1795
Решина И.И.
Комбинационное рассеяние света фотоиндуцированной плазмой в двойных гетероструктурах
1800
Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
1807
Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н.
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1816
Георгицэ Е.И., Иванов-Омский В.И., Мовилэ В.Ф., Цыпишка Д.И.
Циклотронный и комбинированный резонансы в полумагнитных твердых растворах Hg
1-x-y
Cd
x
Mn
y
Te
1823
Ванем Р.А., Кикоин К.А., Мессерер М.А., Первова Л.Я.
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
1827
Воронков В.П., Гурченок Г.А.
Диффузия примеси в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге
1831
Гольдберг Ю.А., Львова Т.В., Мезрин О.А., Трошков С.И., Царенков Б.В.
Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs
1835
Берман Л.С., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н.
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
1841
Бычковский Д.Н., Константинов О.В., Царенков Б.В.
Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения концентрации свободных носителей в однородном по составу полупроводнике
1848
Акимченко И.П., Дымова Н.Н., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием
1857
Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Стенин С.И., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1862
Корнилов Б.В.
Метод определения отношений сечений фотоионизации для многозарядных акцепторов в полупроводниках
1867
Клингер М.И., Шпинар Л.И., Ясковец И.И.
О локализованных возбужденных состояниях центров с отрицательной корреляционной энергией в стеклах
1869
Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А., Гасанова Ф.А., Султанова А.Г.
Полевое гашение экситонной фотопроводимости в монокристаллах
1873
Акопян А.А., Болгов С.С., Савченко А.П., Салюк О.Ю.
Магнитоконцентрационный эффект в неоднородно легированных полупроводниках
1875
Адамашвили Г.Т., Утурашвили Г.Г., Пейкришвили М.Д.
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
1878
Воеводин Е.И., Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Птицина Н.Г.
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge
1881
Атакулов Ш.В., Онаркулов К.Э.
Экспериментальное исследование фото-холл-эффекта в фоточувствительных поликристаллических слоях PbS
1884
Скрышевский В.А., Литвиненко С.В., Стриха В.И.
Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельно-прозрачного диэлектрика
1886
Крусток Ю.Й., Лыо А.Э., Пийбе Т.Э.
О природе 0.8 эВ полосы фотолюминесценции в легированном теллуриде кадмия
1888
Аннотации депонированных статей
1892
Козуб В.И.
Критика и библиография Новые книги по полупроводникам
1893
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук