Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 10
Гольдберг Ю.А.
Омический контакт металл--полупроводник A
III
B
V
: методы создания и свойства. О б з о р
1681
Морозова Н.К., Морозов А.В., Каретников И.А., Назарова Л.Д., Данилевич Н.Д.
Влияние контролируемого изменения собственных точечных дефектов и кислорода на оптические свойства сульфида кадмия
1699
Мак В.Т., Ибрагим А.А.
Некоторые фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок тиогаллата кадмия
1714
Малютенко В.К., Булашенко О.М., Коллюх А.Г., Мороженко В.А.
Длинноволновое инфракрасное излучение в n-InSb в сильных электрических полях
1720
Хакимов З.М., Мухтаров А.П., Умарова Ф.Т., Левин А.А.
Равновесные позиции и пути миграции водорода в кристаллическом кремнии
1727
Касиян В.А., Недеогло Д.Д., Опря С.В.
Высокотемпературные аномалии кинетических коэффициентов в селениде цинка, легированном медью
1734
Зубрилов-=SUP=-1-=/SUP=- А.С.
Электрические свойства гетеропереходов 3C-SiC/Si
1742
Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Хохлов Д.А.
Возникновение двойных связей кремний--кремний в пленках a--Si:H, облученных неоном и углеродом при отжиге
1750
Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Оптические свойства монокристаллов CuAlSe
2
и диодных структур на их основе
1755
Боднарь И.В., Вайполин,-=SUP=-$-=/SUP=- А.А., Полушина,-=SUP=-$-=/SUP=- И.К., Рудь,-=SUP=-$-=/SUP=- В.Ю., Рудь-=SUP=-$-=/SUP=- Ю.В.
Оптические свойства монокристаллов CuIn
0.95
Ga
0.05
Se
2
1763
Лебедев А.А., Полетаев Н.К., Растегаева М.Г., Савкина Н.С.
Электролюминесценция 6H-SiC p-n-структур, легированных алюминием
1769
Архипов В.И., Емельянова Е.В.
Нелинейное распространение световых импульсов в волноводах из стеклообразных полупроводников
1776
Белевич Н.Н., Маковецкий Г.И.
Амбиполярная диффузия и амбиполярный дрейф носителей заряда в пленках CuInSe
2
1782
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МПМ структуре при наличии глубоких примесных уровней. 3. Влияние энергии примесного уровня
1788
Захарова И.Б., Зубкова Т.И., Немов С.А., Рабизо О.В., Выдрик В.Н.
Фоточувствительные поликристаллические пленки компенсированного теллурида свинца PbTe:Cl,Te
ex
1802
Данишевский А.М., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Цолов М.Б.
Влияние концентрации углерода на свойства структурной сетки в сплавах a-Si
1-x
C
x
:H
1808
Жиляев Ю.В., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М.
Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/ n-Ge в линейно поляризованном излучении
1820
Болдырев С.Н., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Феклисова О.В., Ярыкин Н.А.
Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
1826
Абдуллин Х.А., Мукашев В.Н.
Дефекты в p-Si, облученном при 77 K: энергетический спектр и кинетика отжига
1831
Левченко В.И., Постнова Л.И., Дикарева В.В.
Определение энергии активации диффузии кислорода в пленках сульфида свинца
1843
Бакин А.С., Дорожкин С.И., Таиров Ю.М.
О некоторых особенностях кристаллизации SiC из газовой фазы на подложку методом сублимации
1849
Врубель М.М., Борздов В.М.
Влияние электрического поля на коэффициент резонансного прохождения в двухбарьерных квантовых структурах
1852
Мусатов А.Л., Мокеров В.Г., Пахомов А.А., Санкович В.Ю.
Спектры поверхностной фотоэдс n-GaAs (100)
1857
Ентинзон И.Р., Шевченко Г.Л., Огенко В.М.
Радиационное введение дефектов Френкеля в идеальный кристалл
1863
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук