Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5
Алексеев М.А., Карлик И.Я., Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф.
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
761
Баранов А.Н., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Тимченко И.Н., Чугуева З.И., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в p-GaSb
780
Воронин С.Т., Кравченко А.Ф., Шерстяков А.П., Горбушов К.В.
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p
+
-nu-pi-n
+
-структур
787
Балтрамеюнас Р., Вайнерт X., Геразимас Е., Куокштис Э., Хеннебергер Ф.
Исследование оптического усиления в сверхрешетках GaAs-Al
x
Ga
1-x
As
792
Германенко А.В., Миньков Г.М., Румянцев Е.Л., Рут О.Э., Инишева О.В.
Кинетические явления в одноосно деформированном p-Hg
1-x
Cd
x
Te с varepsilon
g
>0
796
Васильев А.Э., Ильин Н.П., Мастеров В.Ф.
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
804
Осипов В.В., Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д.
К теории внутризонного оптического поглощения в гетероструктурах с квантовыми ямами
809
Гинзбург Л.П.
Проводящая зона в условиях структурного беспорядка
813
Кибис О.В.
Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах
820
Карпова И.В., Перель В.И., Сыровегин С.М.
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
826
Корнеева Л.А., Мазур Е.А., Руденко А.И.
Кооперативные эффекты в кильватере быстрых ориентированных частиц в полупроводниках
832
Гашимзаде Н.Ф., Ивченко Е.Л., Кособукин В.А.
Локализованные электронные состояния на дефектах полупроводниковой сверхрешетки
839
Евтихиев В.П., Копьев П.С., Надточий М.Ю., Устинов В.М.
Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga)As
845
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре I. Распространение импульса неравновесных носителей заряда
849
Крючков С.В., Сыродоев Г.А.
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
857
Лукашевич Т.А., Мизрухин Л.В.
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
865
Медведкин Г.А., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Фотоэффект в гетероструктурах In
2
O
3
/CuInSe
2
, полученных методом термического окисления
869
Бугай А.А., Зарицкий И.М., Лукин С.Н., Неймарк Е.И., Кабдин Н.Н.
Частотная зависимость ширины линии ЭПР в аморфном кремнии в интервале 9/130 ГГц
872
Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Радченко М.В., Колесник С.П., Вертелецкий П.В.
Особенности поведения примеси хрома в теллуриде свинца
874
Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З.
Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr
2
Se
4
876
Кузнецов В.В., Разбегаев В.Н., Эль-Гизири Сайд
Край собственного поглощения Al
x
Ga
1-x
As
1-y
P
y
880
Лукьянченко А.И.
Отрицательная дифференциальная фотопроводимость. Эффект ИК гашения фотопроводимости
882
Колковский И.И., Лугаков П.Ф., Шуша В.В.
Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного n-Si
885
Крутоголов Ю.К., Довженко С.В., Диордиев С.А., Крутоголова Л.И., Кунакин Ю.И., Рыжих С.А.
Исследование зонной структуры твердых растворов In
1-x
Ga
x
P с использованием фотоэлектрического метода
887
Бакин Н.Н., Брудный В.Н., Пешев В.В., Смородинов С.В.
Образование центров E10 (E
c
-0.62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-InP при электронном и gamma-облучениях
890
Аброян И.А., Беляков В.С., Крысов Г.А., Титов А.И.
Ионно-стимулированное восстановление кристаллической структуры GaAs
892
Оконечников А.П., Мельник Н.Н.
Диффузионная длина дырок в селениде цинка
894
Лебедев А.А., Митрохин В.И., Рембеза С.И., Свиридов В.В., Степанова М.Н., Ярославцев Н.П.
Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p
+
-p
0
-pi-n
0
-структурах арсенида галлия
897
Акимов Б.А., Хохлов Д.Р., Чесноков С.Н.
Динамика движения рабочей точки на падающей ветви вольтамперной характеристики сплавов Pb
1-x
Sn
x
Te<In>
899
Прозоровский В.Д., Решидова И.Ю., Таряник Н.В., Браташевский Ю.А.
Диэлектрические свойства Pb
1-x
Sn
x
<Cd, Zn>
901
Сванбаев Е.А., Таурбаев Т.И.
О размерах упорядоченных областей в некристаллическом гидрогенизированном кремнии
903
Гредескул Т.С., Гуревич Ю.Г., Машкевич О.Л.
Ток через полупроводниковую пластину с неравновесными фононами
905
Пахаруков Ю.В.
Некоторые аспекты эффекта радиационного упорядочения
909
Витовский Н.А., Машовец Т.В., Налбандян Л.В.
Скопления атомов меди в германии
911
Шаховцов В.И., Ясковец И.И.
Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах кислорода в Si
914
Галаев А.А., Выговская Е.А., Малинкович М.Д.
Влияние электронного облучения на характер низкотемпературной проводимости и емкости в кремниевых МДП структурах
916
Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Лебедев А.А., Таптыгов Э.С.
Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в n-Si
919
Саморуков Б.Е., Слободчиков С.В.
Влияние облучения электронами на свойства фосфида индия, легированного 3d-элементами
921
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
925
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук