Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7
Гуцев Г.Л., Мякенькая Г.С.
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
1153
Германенко А.В., Миньков Г.М., Румянцев Е.Л., Рут О.Э.
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
1158
Балтрамеюнас Р., Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Рыжиков В., Казлаускас А., Кубертавичюс В.
Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения
1163
Абдулгафаров С.Е., Кока А.П., Мукашев Б.Н., Наурзалин Р.Е., Талибаев Б.М., Токарев Ю.Н.
Исследование свойств пленок a-Si : H, имплантированных B
+
и BF
+
2
1171
Мирзаев А., Махкамов Ш., Турсунов Н.А.
Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием
1177
Циуляну Д.И.
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
1181
Жадько И.П., Кучерук А.Д., Романов В.А., Сердега Б.К.
Влияние индуцированной электрическим полем анизотропии электропроводности на вольтамперные характеристики фотопроводимости в n-Si при 77 K
1185
Нидаев Е.В., Васильев А.Л.
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
1190
Галченков Л.А., Гродненский И.М., Костовецкий М.В., Матов О.Р., Медведев Б.А., Мокеров В.Г.
Резонансный эффект Фарадея в ограниченной двумерной электронной системе
1196
Веденеев А.С., Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Савостьянов А.В.
Динамическая релаксационная спектроскопия --- определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции
1199
Омельяновский Э.М., Пахомов А.В., Поляков А.Я., Говорков А.В., Бородина О.М., Брук А.С.
Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs
1203
Журавлев А.Б., Плявенек А.Г., Портной Е.Л., Серегин В.Ф., Стельмах Н.М., Якубович С.Д.
Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода
1208
Кучинский Н.В., Ломако В.М., Шахлевич Л.Н.
О природе дефектов с уровнем E
c
-0.18 эВ в кремнии
1213
Гуцев Г.Л., Мякенькая Г.С.
Электронное строение <001> ориентированных кислородных и углеродных донорных комплексов в кремнии
1219
Гродненский И.М., Пинскер Т.Н., Старостин К.В., Засавицкий И.И.
Отрицательная фотопроводимость и исследование границы раздела в гетеропереходах GaAs-AlGaAs с двумерным электронным газом
1223
Воронина Т.И., Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Старосельцева С.П.
Примесная проводимость в n-GaAs и n-InP на металлической стороне перехода металл--диэлектрик
1230
Гавриленко В.И., Додин Е.П., Красильник З.Ф., Никоноров В.В., Чернобровцева М.Д.
Циклотронный резонанс горячих дырок германия
1233
Еремин В.К., Медведев Л.С., Строкан Н.Б.
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
1239
Матвеев Б.А., Петров В.И., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шабалин А.В.
Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs
1244
Агринская Н.В., Шашкова В.В.
Влияние отклонения от стехиометрии на природу мелких акцепторных состояний в кристаллах CdTe
1248
Васильев А.Э., Ильин Н.П., Мастеров В.Ф.
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
1253
Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мовилэ В.Ф.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев Mn
x
Cd
y
Hg
1-x-y
Te
1258
Райх М.Э., Рузин И.М.
Мезоскопическое поведение поперечной прыжковой проводимости аморфной пленки
1262
Остроумов В.И., Соловьев Г.Г., Труфанов А.И.
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
1273
Рыжий В.И., Хмырова И.И.
Эффект вытеснения тока в гетероструктурных транзисторах на горячих электронах
1277
Конин А.М., Рудайтис В.Г., Сащук А.П.
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
1283
Акулова Ю.А., Яковенко А.А., Груздов В.Г., Гуламов Р.А., Корольков В.И., Мезрин О.А.
Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями
1287
Моздор Е.В., Прима Н.А.
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
1291
Федосов А.В., Панасюк Л.И., Тимощук В.С.
Пьезосопротивление облученного германия
1297
Васин О.И., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Петиков Н.И., Филатова Е.С., Шуйский В.Н.
Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме и рекомбинация на границах в пленках Рb
0.8
Sn
0.2
Te на BaF
2
1299
Гавриленко В.И., Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Стрельницкий В.Е.
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
1302
Сейсян Р.П., Якобсон М.А.
Зеленая люминесценция CdS в поле барьера Шоттки
1304
Мардежов А.С., Серяпин В.Г., Швец В.А.
Профили показателей преломления и поглощения в кремнии, имплантированном ионами фосфора
1306
Батунина А.В., Воронков В.В., Воронкова Г.И., Калинушкин В.П., Мурина Т.М., Фирсов В.И., Шулепников М.Н.
Влияние быстродиффундирующих примесей на малоугловое рассеяние света в кремнии
1308
Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е.
Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении
1311
Филипенко Л.А., Коротеев Ю.М.
Кластерный расчет связанных состояний кислорода в кремнии
1313
Витовский Н.А., Налбандян Л.В., Полоскин Д.С.
Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии, подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K
1316
Коржуев М.А.
О зонной модели GeTe
1318
Глузман Н.Г., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Горбатюк И.Н., Фрасуняк В.М.
О магнитном поляроне в узкощелевых кристаллах Hg
1-x
Mn
x
Te
1321
Манассон В.А., Комиссаров Г.П.
Эффект термостимулированного переключения в туннельной ПДП структуре
1322
Мурин Л.И., Маркевич В.П.
Образование термодоноров и механизм ускоренной диффузии кислорода в кремнии
1324
Гашимзаде Ф.М., Тагиров Э.В.
Поглощение света свободными носителями заряда в многодолинных полупроводниковых пленках
1328
Фукс Б.И.
О влиянии флуктуаций потенциала на измерения ГУ методами емкостной спектроскопии
1330
Рецензии
1334
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1335
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук