Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2024, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 2
XVIII Межгосударственная Конференция ТЕРМОЭЛЕКТРИКИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЯ --- 2023 (ISCTA-2023), Санкт-Петербург, 11-14 сентября 2023
Юрьев В.А., Чуйко А.Г., Калинин Ю.Е., Гребенников А.А., Каширин М.А.
Влияние термической обработки на термоэлектрические и механические свойства твердого раствора Bi
0.5
Sb
1.5
Te
3
p-типа проводимости, полученного методом экструзии
63
Щербакова К.А., Чернышова Е.В., Аргунов Е.В., Бочканов Ф.Ю., Воронин А.И., Ховайло В.В.
Зависимость термоэлектрических свойств CeFe
3.5
Co
0.5
Sb
12
от параметров механохимического синтеза и искрового плазменного спекания
68
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Шуман В.Б., Астров Ю.А., Лодыгин А.Н., Порцель Л.М.
Взаимодействие Mg с кислородом и углеродом в кремнии
75
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Орлов Л.К., Зедоми Т.Э., Ивина А.С., Орлов М.Л.
Высокочастотные свойства двумерной квантовой сверхрешетки в сильном однородном электрическом поле
78
Быков А.А., Номоконов Д.В., Стрыгин И.С., Марчишин И.В., Родякина Е.Е.
Соизмеримые осцилляции и положительное магнетосопротивление в двухподзонной квазидвумерной электронной системе с периодической латеральной модуляцией
89
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Калмыков А.Е., Сорокин Л.М., Курдюков Д.А.
Структурное состояние InSb в композитном материале InSb/опал по данным просвечивающей электронной микроскопии
93
Физика полупроводниковых приборов
Гаврина П.С., Подоскин А.А., Шушканов И.В., Шашкин И.С., Крючков В.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А.
Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
96
Wang Z.X., Liu M.Q., Wang T.B., Li M., Tang G.H., Aierken A., Zhong L.
Evaluation of electrical parameters of electron and proton irradiated GaInP/GaAs/InGaAs metamorphic solar cells
106
Фоминых Н.А., Крыжановская Н.В., Комаров С.Д., Махов И.С., Иванов К.А., Моисеев Э.И., Антонов Е.Е., Гусева Ю.А., Кулагина М.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Хабибуллин Р.А., Галиев Р.Р., Павлов А.Ю., Томош К.Н., Жуков А.Е.
Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
107
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук