Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4
Додин Е.П., Красильник З.Ф.
Моделирование явлений переноса горячих дырок кремния в E|| H полях методом Монте-Карло
585
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Стусь Н.М.
Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых растворов InAsSbP и InGaAs
592
Андреев В.М., Воднев А.А., Ларионов В.Р., Пруцких Т.А., Румянцев В.Д., Расулов К.Я., Хвостиков В.П.
Фотоэлектрические свойства AlGaAs-GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким "широкозонным окном"
597
Колобов А.В., Любин В.М., Тагирджанов М.А.
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
601
Зубрилов А.С., Котин О.А., Шуман В.Б.
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
607
Андреев В.М., Зимогорова Н.С., Карлина Л.Б., Никитин Л.П., Устинов В.М., Васильев А.М.
Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In
0.53
Ga
0.47
As, легированных рением
612
Бордовский Г.А., Каничев М.Р., Любин В.М.
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
616
Дыкман И.М.
Собственные колебания в сверхрешетке, образованной когерентными лучами в многодолинном полупроводнике
621
Кольченко Т.И., Ломако В.М., Родионов А.В., Свешников Ю.Н.
Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия, содержащем изовалентную примесь индия
626
Генкин Г.М., Окомельков А.В.
Горячие носители в узкощелевых полупроводниках в сильном электрическом поле
630
Бабаев А.А., Теруков E.И., Жданович H.С., Мусабеков Е.
Фотолюминесценция в пленках a-Si
1-x
C
x
: H и a-Si
1-x
N
x
: H
636
Аракелян В.С., Бархударян Г.Р.
Исследование лазерной диффузии в GaAs n- и p-типа проводимости
640
Гуревич Ю.Г., Зозуля В.Л., Юрченко В.Б.
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
643
Аникин М.М., Евстропов В.В., Попов И.В., Растегаев В.Н., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л.
Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых p-n-структурах
647
Кутасов В.А., Лукьянова Л.Н.
Влияние эффективного параметра рассеяния на массу плотности состояний и подвижность в твердых растворах на основе халькогенидов висмута и сурьмы
652
Глинчук К.Д., Заяц Н.С., Прохорович А.В.
Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия
657
Каминский В.Э.
Уровни энергии и волновые функции электронов в потенциальной яме селективно легированных гетероструктур
662
Акимов Б.А., Никорич А.В., Хохлов Д.Р., Чесноков С.Н.
Проводимость сплавов Pb
0.75
Sn
0.25
Te(In) при комбинированном воздействии электрического и магнитного полей
668
Балагуров Л.А., Карпова Н.Ю., Омельяновский Э.М., Сизов В.Е.
Исследование спектров примесного поглощения a-Si
1-x
C
x
: H методом фотоакустической спектроскопии
673
Фистуль В.И., Шмугуров В.А.
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии I. Теория миграции
677
Фистуль В.И., Шмугуров В.А.
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии II. Теория миграции, сравнение с экспериментом
684
Фистуль В.И., Шмугуров В.А.
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
688
Доманевский Д.С., Жоховец С.В.
Влияние корреляции в распределении легирующих примесей на спектр краевой люминесценции сильно легированного арсенида галлия
693
Расулов Р.Я.
Теория фотогальванических эффектов в кристаллах без центра инверсии простой зоны. Гармоническое приближение
698
Мизрухин Л.В., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Яшник В.И.
Упругие напряжения в Si с электрически пассивными примесями
704
Конорова Л.Ф., Жданович Н.С., Дидик В.А., Прудников И.М.
О структурных изменениях в стеклообразном AsGeSe, облученном большими дозами нейтронов
706
Рагуотис Р., Сельмистрайтис Г.
Исследование влияния междырочного рассеяния на время релаксации энергии дырок в Ge
709
Шмелев Г.М., Чайковский И.А., Менса С.И.
Термоэлектрические свойства сверхрешеток по внешних полях
712
Давыдов А.Б., Штрапенин Г.Л.
Переход металл-диэлектрик в бесщелевых полупроводниках p-Hg
1-x
Cd
x
Te с x~0.15
715
Гредескул Т.С., Гуревич Ю.Г.
Новый гальванотермический эффект, обусловленный электрон-фононным увлечением
717
Выжигин Ю.В., Земан Я., Костылев В.А., Соболев Н.А., Шмид В.
Уровни дефектов термообработки в кремнии под гидростатическим давлением
719
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф., Филиппов И.М.
Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах в p-Si
722
Омельяновский Э.М., Поляков А.Я., Тишкин М.В.
Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования
725
Золотухина В.В., Мисюра И.В.
Магнитная восприимчивость при структурном фазовом переходе в узкощелевых полупроводниках Pb
1-x
Sn
x
Se
728
Быковский В.Ю., Вовненко В.И., Дмитрук Н.Л.
Изучение локальных центров в p-GaAs, легированном медью, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции
729
Дашевский М.Я., Корляков Д.Н.
Влияние германия на образование термодоноров в монокристаллах кремния
732
Перлин Ю.Е., Гифейсман Ш.Н., Коропчану В.П.
Межзонное смешивание и его влияние на подвижность дырок в ионных полупроводниках с вырожденной валентной зоной
734
Сушкевич К.Д., Симашкевич А.В., Коваль А.В.
Изменение ансамбля центров излучательной рекомбинации в селениде цинка под влиянием термообработки
737
Бабий П.И., Гамерник Р.В., Гнатенко Ю.П., Крочук А.С.
Проявление донорных свойств примеси скандия в кристаллах CdTe и ZnTe
739
Каширская Л.М., Кучеренко И.В., Свистов А.Е.
Флуктуации дна зоны проводимости в твердых растворах свинец-олово-селен
742
Георгицэ Е.И., Постолаки И.Т., Смирнов В.А., Унтила П.Г.
Фотолюминесценция p-InAs<Mn>
745
Грехов А.М., Кустов В.Е., Трипачко Н.А., Шаховцов В.И.
Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии
746
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф., Филиппов И.М.
Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении p-Si
748
Девятков М.H., Кашинцева В.Л., Овчинникова Г.И.
Дислокационная проводимость восстановленного рутила
751
Берман Л.С., Витовский Н.А., Воронков В.Б., Ломасов В.Н., Ремешок А.Д., Ткаченко В.Н., Толстобров М.Г.
Скорость введения и профиль концентрации A-центров в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
753
Дружинин Ю.П., Чиркова Е.Г.
Длинноволновая фотопроводимость компенсированного германия с медью
756
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук