Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 6
<<<>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 6
Семинар INTAS--РФФИ "Редкоземельные примеси в полупроводниках и низкоразмерных полупроводниковых структурах" "Rare earth impurities in semiconductors and low-dimensional semiconductor structures"
641
Binetti S., Pizzini S., Cavallini A., Fraboni B.
Erbium doped silicon epilayers grown by liquid phase epitaxy
642
Ammerlaan C.A.J., Thao D.T.X., Gregorkiewicz T., Sobolev N.A.
Photoluminescence of erbium-doped silicon: excitation power dependence
644
Емцев В.В., Емцев (мл.) В.В., Полоскин Д.С., Соболев Н.А., Шек Е.И., Михель Й., Кимерлинг Л.С.
Примесные центры в кремнии, легированном редкоземельными примесями диспрозием, гольмием, эрбием и иттербием
649
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Кудрявцев Ю.А.
Перераспределение эрбия при кристаллизации скрытых аморфных слоев кремния
652
Соболев Н.А., Шек Е.И., Емельянов А.М., Вдовин В.И., Югова Т.Г.
Влияние собственных точечных дефектов на формирование структурных дефектов и оптически активных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием и диспрозием
656
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Вдовин В.И.
Влияние ориентации кремниевой подложки на свойства лавинных Si : Er : O-светоизлучающих структур
660
Masterov V.F., Gerchikov L.G.
Mechanisms of excitation of the f-f emission in silicon codoped with erbium and oxygen
664
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Пак П.Е., Теруков Е.И., Цэндин К.Д., Яссиевич И.Н.
Механизм эрбиевой электролюминесценции в аморфном гидрогенизированном кремнии
671
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Лундин В.В., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Усиков А.С.
Влияние отжига на оптические и структурные свойства GaN : Er
674
Гиппиус А.А., Коннов В.М., Дравин В.А., Лойко Н.Н., Казаков И.П., Ушаков В.В.
Оптическая активность Yb в GaAs и низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAlAs
677
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Бурбело Р.М., Кузьмич А.Г., Кучеров И.Я.
Фототермоакустическая и фотоэлектрическая микроскопия кремния
680
Ардышев В.М., Суржиков А.П.
Радиационно-термическая активация кремния, имплантированного в арсенид галлия
687
Электронные и оптические свойства полупроводников
Абрамов А.А., Васько Ф.Т., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А.
Фотоионизация короткодействующих акцепторных состояний в одноосно деформированных полупроводниках
691
Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов GaAs--AIIBIVCV2
697
Ляпилин И.И., Биккин Х.М.
Взаимное увлечение электронов и фононов в сильно легированных полупроводниках HgFeSe
701
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Вялых Д.В., Федосеенко С.И.
Исследование микротопографии поверхностей SiO2 и Si межфазной границы Si/SiO2 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии
708
Агапов Б.Л., Арсентьев И.Н., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Сумец М.П.
Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3--GaAs
712
Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В.
Сульфидная пассивация силовых GaAs-диодов
716
Безрядин Н.Н., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Котов Г.И., Кузьменко Р.В., Сумец М.П.
Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком
719
Булярский С.В., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин А.В.
Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP-светодиодах
723
Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К.
Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния
727
Низкоразмерные системы
Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Масалов С.А., Голубок А.О.
Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной эпитаксии
733
Сапега В.Ф., Перель В.И., Мирлин Д.Н., Акимов И.А., Руф Т., Кардона М., Винтер В., Еберл К.
Проявление эффектов размерности в горячей фотолюминесценции арсенида галлия: исследование 2D--квази-3D перехода
738
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Звонарева Т.К., Шаронова Л.В.
Влияние материала подложки на скорость роста и оптические параметры слоев a-C : H
742
Физика полупроводниковых приборов
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Хвостиков В.П.
Фоточувствительность гетерофотоэлементов GaAlAs/GaAs в линейно поляризованном свете
747
Костко И.А., Евтихиев В.П., Котельников Е.Ю., Зегря Г.Г.
Повышение мощности лазеров с широким волноводом посредством дополнительной селекции поперечных мод
752
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP
759
Персоналии
Памяти Мастерова Вадима Федоровича
764

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme