Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 11

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Абдуллаев А.П., Салманов Ф.Т., Алекперов О.З., Гусейнов Э.К., Алиева Н.А.

Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe₂ и TlInTe₂

1441

Электронные свойства полупроводников

Багиева Г.З., Мустафаев Н.Б., Абдинов Г.Дж., Абдинов Д.Ш.

Электрические свойства монокристаллов PbTe с избытком теллура

1446

Боднарь И.В., Павлюковец С.А.

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов FeIn₂S₄

1450

Шевельков А.В., Кельм Е.А., Оленев А.В., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г.

Аномально низкая теплопроводность и термоэлектрические свойства новых катионных клатратов в системе Sn-In-As-I

1454

Марков В.Ф., Мухамедзянов Х.Н., Маскаева Л.Н., Смирнова З.И.

Низкотемпературные исследования химически осажденных пленок твердых растворов замещения на основе селенидов свинца и олова (II)

1459

Боднарь И.В., Труханов С.В.

Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов Fe_xMn_1-xIn₂S₄

1464

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Власенко Н.А., Сопинский Н.В., Гуле Е.Г., Манойлов Э.Г., Олексенко П.Ф., Велигура Л.И., Мухльо М.А.

Особенности и природа полосы фотолюминесценции 890 нм, обнаруженной после низкотемпературного отжига пленок SiO_x

1470

Грузинцев А.Н., Волков В.Т.

Модификация электрических и оптических свойств пленок ZnO под действием ультрафиолетового излучения

1476

Комков О.С., Семенов А.Н., Фирсов Д.Д., Мельцер Б.Я., Соловьев В.А., Попова Т.В., Пихтин А.Н., Иванов С.В.

Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al_xIn_1-xSb

1481

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Кузнецов В.П., Степихова М.В., Шмагин В.Б., Марычев М.О., Алябина Н.А., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф.

Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов

1486

Середин П.В., Глотов А.В., Терновая В.Е., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Тарасов И.С.

Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y

1489

Бобин Е.Г., Бердинский В.Л.

Спиновая фильтрация неполяризованных электронов примесными центрами в полупроводниках

1498

Баграев Н.Т., Брилинская Е.С., Гец Д.С., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Романов В.В.

Осцилляции Шубникова-де-Гааза и де-Гааза-ван Альфена в кремниевых наноструктурах

1503

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Белогорохов И.А., Тихонов Е.В., Дронов М.А., Белогорохова Л.И., Рябчиков Ю.В., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р.

Особенности спектральных зависимостей пропускания в органических полупроводниках на основе молекул трет-бутилзамещенного дифталоцианина лютеция

1509

Белогорохов И.А., Тихонов Е.В., Дронов М.А., Рябчиков Ю.В., Пашкова Н.В., Кладова Е.И., Белогорохова Л.И., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р.

Исследование транспортных свойств органических полупроводников на основе дифталоцианиновых и би-трифталоцианиновых комплексов европия с орто-бис(оксиметил)фенильным мостиком, а также на основе комплексов динафталоцианина эрбия и европия

1514

Грудинкин С.А., Бахарев В.И., Егоров В.М., Мелех Б.Т., Голубев В.Г.

Кристаллизационная способность, оптические и электрические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge₁₀(Se-Te)₉₀ и Ge₃₀(Se-Te)₇₀

1520

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Гриневич В.С., Максименко Л.С., Матяш И.Е., Мищук О.Н., Руденко С.П., Сердега Б.К., Смынтына В.А., Филевская Л.Н.

Поляризационные характеристики поверхноcтного плазмонного резонанса в нанокластерных пленках SnO₂

1525

Черничкин В.И., Добровольский А.А., Дашевский З.М., Касиян В.А., Бельков В.В., Ганичев С.Д., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.

Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой

1533

Рембеза С.И., Воронов П.Е., Синельников Б.М., Рембеза Е.С.

Синтез, структура и электрические свойства нанокомпозита (SnO₂)_x(In₂O₃)_1-x (x=0.5-1)

1538

Углеродные системы

Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К.

Структурирование субмонослойных углеродных покрытий, осажденных в СВЧ плазме низкого давления на монокристаллическом кремнии

1542

Физика полупроводниковых приборов

Марченко И.Г., Жданович Н.Е.

Технологические особенности электронного облучения Si p⁺-n-n⁺-диодов при повышенных температурах

1549

Соколова З.Н., Тарасов И.С., Асрян Л.В.

Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме

1553

Петухов А.А., Ильинская Н.Д., Кижаев С.С., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П.

Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона (lambda_max~3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP

1560

Хрипунов Г.С., Копач В.Р., Мериуц А.В., Зайцев Р.В., Кириченко М.В., Дейнеко Н.В.

Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на кпд пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe

1564

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Крылов П.Н., Гильмутдинов Ф.З., Романов Э.А., Федотова И.В.

Влияние термоотжига на оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида цинка

1571

Вольфсон А.А., Мохов Е.Н.

Сравнение гомоэпитаксиального роста кристаллов AIN на Al- и N-поверхностях

1576

Лебедев М.В.

Квантово-химические исследования адсорбции молекул изопропилового спирта на поверхности GaAs (100)

1579

Учредители

Издатель