Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2003, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 3
Электронные и оптические свойства полупроводников
Зубкова С.М., Русина Л.Н., Смелянская Е.В.
Температурная зависимость зонной структуры политипов 3C, 2H, 4H и 6H карбида кремния
257
Крохмаль А.П.
Тонкая структура длинноволнового края экситон-фононного поглощения и гиперболические экситоны в карбиде кремния политипа 6H
266
Горлей П.М., Грушка О.Г., Грушка З.М.
Влияние примеси гадолиния на прозрачность и отражательную способность кристаллов Hg
3
In
2
Te
6
272
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Якимов Е.Е.
Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag
275
Немов С.А., Серегин П.П., Иркаев С.М., Серегин Н.П.
Положение примесных атомов мышьяка в решетке PbTe
279
Александрова Е.Л., Дудкина М.М., Теньковцев А.В.
Полиамидиновые супрамолекулярные структуры --- новый класс светочувствительных полимерных полупроводников
282
Гуткин А.А., Рещиков М.А.
Термический перенос заряда и поляризация широкой полосы люминесценции с максимумом при энергии фотонов вблизи 1.2 эВ в n-GaAs : Te при одноосной деформации
287
Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Федоров М.И.
Термоэлектрическая эффективность твердых растворов с рассеянием фононов на нецентральных примесях
292
Багаев В.С., Зайцев В.В., Клевков Ю.В., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е.
Влияние отжига в парах и в жидком Zn на фотолюминесценцию высокочистых поликристаллов ZnTe
299
Хируненко Л.И., Кобзарь О.А., Помозов Ю.В., Соснин М.Г., Трипачко Н.А.
Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии
304
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Мартовицкий В.П., Козловский В.И., Кузнецов П.И., Скасырский Я.К., Якущева Г.Г.
Слоистое строение пленок Zn
1-x
Cd
x
Se, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений на подложках Cd
0.92
Zn
0.08
S (0001)
310
Каширина Н.И., Лахно В.Д., Сычев В.В., Шейнкман М.К.
Свойства мелких D
-
-центров в полярных полупроводниках
318
Корнилов В.М., Лачинов А.Н.
К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии
323
Низкоразмерные системы
Прыкина Е.Н., Полыгалов Ю.И., Копытов А.В.
Колебательные спектры сверхрешеток (GaAs)
n
(Ga
1-x
Al
x
As)
m
в модели Китинга
328
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Емельченко Г.А., Карпов И.А., Масалов В.М., Михайлов Г.М., Якимов Е.Е.
Люминесценция квантовых точек ZnO, полученных с помощью синтетического опала
330
Зегря Г.Г., Константинов О.В., Матвеенцев А.В.
Структура энергетических квантовых уровней в квантовой точке, имеющей форму сплюснутого тела вращения
334
Хабаров Ю.В.
Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев 1. Фотолюминесценция
339
Бенеславский С.Д., Елистратов А.А., Шибков С.В.
Электропроводность одномерного полупроводника с периодическим потенциалом
346
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Базылюк И.Р., Свечников С.В.
Спектры фотолюминесценции нанокристаллов кремния
353
Титов А.И., Азаров А.Ю., Беляков В.С.
Кинетика роста поверхностных аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий
358
Бирюлин Ю.Ф., Згонник В.Н., Меленевская Е.Ю., Миков С.Н., Моливер С.С., Орлов С.Е., Новоселова А.В., Петриков В.Д., Розанов В.В., Сыкманов Д.А., Яговкина М.А.
Структура и оптические свойства пленок C
60
на полимерных подложках
365
Физика полупроводниковых приборов
Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В.
Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных электрических полях
372
Андронов А.А., Нефедов И.М., Соснин А.В.
Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора
378
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук