Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 8
Гнатенко В.И., Торчинская Т.В.
Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
1297
Бахадырханов М.К., Курбанова У.Х.
Рекомбинационные волны в кремнии, легированном серой
1305
Кудоярова В.Х., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Виолина Г.Н., Елькина Н.В., Каваляускас Р.А.
Оптические и электрические свойства слоев a-Si
1- x
C
x
:H, перспективных для электрофотографических применений
1310
Боднарь И.В., Вайполин А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Естественный фотоплеохроизм диодных структур из CuInSe
2
1322
Голикова О.А., Казанин М.М., Мавлянов Х.Ю.
Псевдолегирование и отжиг аморфного гидрированного кремния
1329
Елесин В.Ф., Копаев-=SUP=-*-=/SUP=- Ю.В., Опенов Л.А., Подливаев А.И.
Влияние примесного рассеяния на когерентные процессы в трехъямной наноструктуре
1334
Имамов Р.М., Ломов А.А., Сироченко В.П., Игнатьев А.С., Мокеров В.Г., Немцев Г.З., Федоров Ю.В.
Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
1346
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.
Тонкая структура в спектрах фоточувствительности n-p-CdSiAs
2
1354
Архипов В.И., Перова И.А., Руденко А.И.
Эволюция пространственного распределения радиационных дефектов в неупорядоченных материалах
1365
Алиев К.М., Баширов Р.И., Гаджиалиев М.М.
Автосолитоны в температурно-неоднородной плазме германия
1371
Рогачев Н.А., Кузнецов А.Н., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Челноков В.Е.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученный магнетронным реактивным распылением
1375
Крылов К.Р., Леринман Н.К., Пономарев А.И., Сабирзянова Л.Д., Шелушинина Н.Г., Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д.
Магнитная восприимчивость и гальваномагнитные свойства полумагнитного полупроводника Hg
1- x
Mn
x
Te
1- y
Se
y
1382
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н.
Модель для описания взаимодействия электронных волн с гетерограницами в GaAs/AlAs (001)
1393
Колесников Н.В., Мальханов С.Е.
Дефектно-примесный состав n-базы тиристоров из кремния
1403
Коньков О.И., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И.
Подвижность электронов и плотность состояний в a-C:H
1406
Остроумова Е.В., Рогачев А.А.
Простая модель оже-транзистора
1411
Белогорохов,-=SUP=-*-=/SUP=- А.И., Белогорохова,-=SUP=-$-=/SUP=- Л.И., Караванский В.А., Образцов-=SUP=-$-=/SUP=- А.Н.
Инфракрасная спектроскопия и фотолюминесцентные свойства пленок пористого кремния: влияние режимов формирования
1424
Мальханов С.Е.
Энергетические уровни в кремнии, облученном быстрыми электронами. Локальные уровни в полосе энергий E
c
- 0.3/ 0.5 эВ
1431
Макаренко Л.Ф.
Новая модель для объяснения спектроскопических характеристик кислородных термодоноров в кремнии
1434
Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Устинов В.М.
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
1439
Грибников З.С., Коршак А.Н.
Баллистическая инжекция электронов с отрицательными эффективными массами
1445
Атабаев И.Г., Саидов М.С., Салиев Т.М., Шамуратов Х.А.
Исследование отжига радиационных дефектов в n-SiC( 6 H), облученном тепловыми нейтронами
1455
Филина Л.И., Маргулис В.А.
Термостимулированная проводимость для двух взаимосвязанных уровней прилипания
1460
Багаева Т.Ю., Попов В.В., Солодская Т.И.
Влияние электрон-плазмонного рассеяния на транспортные характеристики горячих электронов в вырожденном GaAs
1468
Оконечников А.П., Мельник Н.Н.
Глубокие уровни в моно- и поликристаллическом ZnSe, облученном электронами
1472
Акопян А.А., Малютенко В.К., Тесленко Г.И.
Вольт-амперные характеристики полупроводниковых структур сферической геометрии с антизапорными контактами
1478
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Максимов М.В., Табатадзе И.Г., Копьев П.С.
Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs--GaAs
1483
Альварес Х.К., Берман Л.С., Каримов И.Н.
Релаксация емкости туннельно-тонких МДП структур кремний--фторид кальция--золото, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1488
Синергетика-95: диссипативные структуры (КС) и существенно неравновесные процессы
1496
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук