Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 10
Канцер В.Г., Малкова Н.М.
Приграничные электронные состояния в полупроводниковых (IV-VI) сверхрешетках
1585
Кузнецов О.А., Орлов Л.К., Дроздов Ю.Н., Воротындев В.М., Мильвидский М.Г., Вдовин В.И., Карлес Р., Ланда Г.
Сверхрешетки Ge-Ge
1-x
Si
x
, полученные гидридным методом
1591
Бабенцов В.Н., Власенко А.И., Сочинский Н.В., Тарбаев Н.И.
Влияние галлия на спектры низкотемпературной фотолюминесценции теллурида кадмия при диффузионном легировании
1599
Глазов В.М., Пильдон В.И., Зубков А.М., Кольцов В.Б.
Исследование электрофизических свойств монокристаллов высокоомного кремния n-типа проводимости в широком интервале температур
1605
Жиляев Ю.В., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М.
Поляризационная фоточувствительность эпитаксиальных GaP-структур на Si-подложках
1611
Бабенцов В.Н., Байдуллаева А., Власенко А.И., Горбань С.И., Даулетмуратов Б.К., Мозоль П.Е.
Механизмы образования нарушенного слоя в p-CdTe под действием лазерных импульсов наносекундной длительности
1618
Беркелиев А., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Федоров Л.М.
Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
1624
Смирнов Д.В., Машовец Д.В., Сафончик М.О., Рознован Ю.В., Леотен Ж., Кнапп В.
Магнитофононный резонанс и инфракрасное решеточное отражение в p-ZnSb
1631
Гнатенко Ю.П., Фарина И.А., Гамерник Р.В., Крочук А.С., Бабий П.И.
Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe : Fe и Cd
1-x
Fe
x
Te
1639
Неймаш В.Б., Помозов Ю.В., Шаховцов В.И., Кабалдин А.Н., Цмоць В.М.
О влиянии нейтронного облучения на генерацию термодоноров и преципитацию кислорода в кремнии при 650
o
C
1651
Тетельбаум Д.И., Якунин Ю.И., Касаткин А.П., Мурель А.В.
Моделирование профилей распределения концентрации носителей тока в low-high-переходах с промежуточным слоем противоположного типа легирования
1657
Банная В.Ф., Литвак-Горская Л.Б., Луговая Г.Я.
Особенности низкотемпературной проводимости германия, легированного ртутью
1661
Гавричков В.А.
Дисторсия сложного дефекта со слабой связью
1667
Кузнецов Н.И.
Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS)
1674
Казакевич Л.А., Колковский И.И., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р.
Эффективность образования радиационных дефектов в p-кремнии, выращенном с использованием магнитного поля
1680
Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Курбанова У.X.
Исследование влияния магнитного поля на условия возбуждения и параметры неустойчивостей тока инфранизких частот в Si<S>
1684
Казанский А.Г., Шамонина Е.А.
Влияние легирования на фотопроводимость alpha-Si : H
1688
Казанский А.Г., Яркин Д.Г.
Влияние уровня легирования и температуры на эффект Стеблера-Вронского в пленках alpha-Si : H, легированных фосфором
1693
Жалко-Титаренко И.В., Крайчинский А.Н., Осташко Н.И., Рогуцкий И.С.
Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 K при электронном облучении
1698
Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
О природе фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии
1707
Гарбузов Д.3., Гулаков А.Б., Кочнев И.В., Шерняков Ю.М., Халфин В.Б., Явич Б.С.
Особенности зависимости от тока эффективности спонтанного излучения лазерных диодов с одиночной квантовой ямой на основе AlGaAs/GaAs
1713
Шеховцов Н.А.
Поглощение электромагнитного излучения 54-78 ГГц слабо легированным p-германием
1720
Житинская М.К., Немов С.А., Равич Ю.И., Абайдулина Т.Г., Компанеец В.В., Бушмарина Г.С., Драбкин И.А.
Электрофизические свойства теллурида висмута, легированного индием
1724
Артамонов О.М., Дмитриева О.Г., Самарин С.Н., Яковлев И.И.
Исследование незаполненных электронных состояний и определение сродства к электрону PbS (100) с помощью спектроскопии обратной фотоэмиссии
1730
Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Звонков Б.Н., Степихова М.В.
Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs
1736
Костин И.В., Осипов Е.Б., Осипова Н.А.
Константы деформационного потенциала глубоких акцепторов в модели короткодействующего потенциала центра
1743
Басc Ф.Г., Евтушенко О.М., Панчеха А.П.
Пространственная модуляция неквадратичного закона дисперсии носителей заряда внешним высокочастотным полем в полупроводниках
1747
Туланов В.Т., Сиябеков X.Б.
Индуцированная примесная фотопроводимость в кремнии, легированном серой
1751
Стафеев В.И.
Рецензия на книгу И.И. Таубкина, Н.Б. Залетаева, В.Ф. Кочерова "Физические явления в монокристаллических примесных фоторезисторах"
1752
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук