Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 7
Шик А.Я.
Полупроводниковые структуры с delta-слоями (О б з о р)
1161
Захарова А.А., Рыжий В.И.
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
1182
Сырбу Н.Н., Стамов И.Г., Камерцель А.Ю.
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений A
II
B
V
симметрий D
8
4
и C
5
2h
1191
Сырбу Н.Н., Тэзлован В.Е., Заднипру И.Б.
Деполяризация колебательных мод в кристаллах CdGa
2
Se
4
1225
Бегучев В.П., Мечетин А.М., Кондратьева О.Г., Неустроев Л.Н.
О темновом токе и шум-факторе ступенчатых ЛФД
1236
Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П., Козловский С.И., Романов В.А.
Исследование биполярного двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе
1244
Коваленко А.В., Мекекечко А.Ю., Бондарь Н.В., Тищенко В.В., Щекочихин Ю.М., Румянцева С.М., Малашенко И.С.
Исследование оптических характеристик эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs (100), выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии
1251
Греков Е.В.
Статические характеристики тонкопленочных полевых транзисторов на основе a-Si : H
1256
Берковиц В.Л., Гусев А.О., Львова Т.В.
Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края фундаментального поглощения
1264
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Осипов Е.Б., Рещиков М.А., Сосновский В.Р.
Симметрия комплекса V
Ga
Te
As
в GaAs и его переориентация при низких температурах
1269
Закиров А.С., Игамбердыев Х.Т., Мамадалимов А.Т., Хабибуллаев П.К.
Лазерно-стимулированная диффузия золота в кремнии
1282
Андрухив А.М., Гадаев О.А., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У., Цидильковский Э.И.
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Zn
x
Cd
y
Hg
1-x-y
Te
1288
Болотов В.В., Плотников Г.Л., Эмексузян В.М., Шмальц К.
Пассивации радиационных дефектов в гидрогенизированных слоях кремния при нейтронном облучении
1295
Акимов Б.А., Албул А.В., Богданов Е.В., Ильин В.Ю.
Вольт-амперные характеристики и эффект переключения в низкоомное состояние в PbTe<Ga> при низких температурах
1300
Бумай Ю.А., Малаховская В.Э., Ульяшин А.Г., Шлопак Н.В., Самойлюк Т.Т., Никитина Т.Д., Горупа К.С., Автюшков Е.В.
Влияние двойной имплантации атомов кремния и фтора на электрические параметры полуизолирующего арсенида галлия
1306
Карпович И.А., Планкина С.М.
Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs
1313
Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю.
Модификация спектра мелких состояний арсенида галлия под действием импульсного лазерного излучения
1321
Кадушкин В.И.
Затухание квантования Ландау как метод идентификации механизмов релаксации 2D-электронов
1323
Трифонова М.М., Барышев Н.С., Мезенцева М.П., Ахмедова Ф.И., Аверьянов И.С.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур p-типа
1327
Гергель В.А., Тарнавский С.П.
Туннельно-термическая перезарядка глубоких уровней в барьере Шоттки. I. Вольт-амперные характеристики
1330
Гергель В.А., Тарнавский С.П.
Туннельно-термическая перезарядка глубоких уровней в барьере Шоттки. II. Дисперсия малосигнальных характеристик
1335
Горев Н.Б., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т., Эппель В.И.
Вольт-фарадные характеристики гетероструктур с селективным легированием при наличии глубоких центров
1339
Карачевцева Л.А., Любченко А.В.
К вопросу о собственной концентрации носителей заряда в твердых растворах Cd
x
Hg
1-x
Te
1342
Крылов Д.Г., Ладыгин Е.А., Галеев А.П.
Модель радиационного накопления в системе кремний-оксид кремния
1347
Панов В.П., Панова Г.Д.
Нестабильность проводимости, вызванная электрическим нарушением электронно-молекулярного равновесия в приповерхностном слое пленок CdS
1351
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1355
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук