Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 10
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 10
Копьев П.С., Леденцов Н. Н. Н.Н.
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений A
III
B
V
О б з о р
1729
Алексеева З.М., Диамант В.М., Красильникова Л.М., Криворотов Н.П., Пороховниченко Л.П.
Эффекты анизотропии сжатия в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных серой, при всестороннем давлении
1743
Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В.
Нестационарные токи двойной инжекции в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок
1747
Конакова Р.В., Мельникова Ю.С., Моздор Е.В., Файнберг В.И.
Пробой кремниевых p
+
-n-n
+
-диодов
1754
Горфинкель В.Б., Солодкая Т.И.
Аналитическая теория отрицательной дифференциальной подвижности в гетероструктурах GaAs-AlGaAs
1759
Григорьев Н.Н., Зыков В.Г., Сердега Б.К., Шеховцов Л.В.
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
1764
Дмитренко Н.Н., Огненский А.И.
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
1769
Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Аксенов В.Ю., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д., Хвостиков В.П.
Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
1775
Жук Б.В., Зленко А.А., Прохоров А.М., Разов Е.Н., Щербаков Е.А.
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
1780
Скипетров Е.П., Дубков В.П., Мусалитин А.М., Подсекалов И.Н.
Проводимость по локальной зоне в сплавах Pb
1-x
Sn
x
Se, облученных электронами
1785
Брук А.С., Говорков А.В., Мильвидский М.Г., Попова Е.В., Шленский А.А.
Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия
1792
Раданцев В.Ф.
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg
1-x
Cd
x
Te разных состава и легирования)
1796
Конников С.Г., Уманский В.Е., Чистяков В.М., Лодыженский И.И.
Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ
1803
Кузнецов А.В.
Двухлучевая оптическая бистабильность в полупроводниках
1808
Тигиняну И.М., Пышная Н.Б., Спицын А.В., Урсаки В.В.
Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs
1814
Савельев И.Г., Полянская Т.А.
Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs
1818
Королев В.Л., Сидоров В.Г.
Сравнительное исследование люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении
1827
Юшка Г., Томашюнас Р., Юконис Г.
Диффузионная рекомбинация в аморфном полупроводнике
1831
Гафийчук В.В., Гашпар В.Э., Кернер Б.С., Осипов В.В.
Пульсирующие автосолитоны в разогретой в процессе оже-рекомбинации электронно-дырочной плазме
1836
Шик А.Я.
Оптическое поглощение на гетерогранице
1843
Карумидзе Г.С., Трахброт Б.М.
Спектры поглощения кремния, облученного реакторными нейтронами при криогенных температурах
1848
Коршунов Ф.П., Соболев Н.А., Колин Н.Г., Кудрявцева Е.А., Прохоренко Т.А.
Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия
1850
Кабанова И.С., Косяченко Л.А., Махний В.П.
Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки
1852
Регель А.Р., Серегин П.П., Андреев П.А., Мездрогина М.М., Насрединов Ф.С.
Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода
1856
Корнеева Л.А., Мазур Е.А., Руденко А.И.
Формирование профиля ионов, имплантируемых ориентируемым пучком в полупроводник с дефектами
1859
Герман А.И., Чайковский И.А.
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
1862
Гузь В.Н., Жадько И.П., Кучерук А.Д., Романов В.А.
Ориентационная зависимость проходных вольтамперных характеристик планарных p
+
-n-n
+
-структур на основе Si
1864
Попов В.Г., Саченко А.В., Коломзаров Ю.В., Комиренко Р.П., Скрышевский В.А.
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
1867
Сысоев Б.И., Руднев Е.В., Антюшин В.Ф.
Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое
1871
Казарян А.М., Григорян В.Г.
Внутризонное поглощение в размерно-квантовых полупроводниковых средах
1873
Гучетль Р.И., Гринштейн П.М.
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
1876
Андроник К.И., Бойко М.П., Лужковский А.В.
Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца
1878
Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г.
Фотолюминесенция модифицированных кристаллов GaAs<Te>
1880
Мехтиев Н.М., Алиев Г.М., Гусейнов З.З.
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn
2
Se
4
1882
Жиляев Ю.В., Россин В.В., Россина Т.В., Травников В.В.
Использование спектров поляритонной люминесценции для характеристики качества кристаллов GaAs
1885
Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Цидильковский Э.И.
Индуцированная светом спиновая поляризация в полумагнитных полупроводниках
1888
Омельяновский Э.М., Пахомов А.В., Поляков А.Я.
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
1892
Горбовицкий Б.М.
Анизотропия туннельных переходов в сложной валентной зоне германия
1894
Бакуева Л.Г., Захарова И.Б., Ильин В.И., Мусихин С.Ф.
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb
1-x
Sn
x
<Na>
1896
Критика и библиография
1899
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук