Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 4
Сюй Син, Си-фу Ван
Новый метод экспериментальной проверки модели инверсионного слоя аномального эффекта Холла при комнатной температуре
577
Асеев А.Л., Денисенко С.Г., Федина Л.И.
Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облучении кристаллов Si и Ge электронами в высоковольтном электронном микроскопе
582
Глазов В.М., Кольцов В.Б., Куцова В.З., Регель А.Р., Таран Ю.Н., Тимошина Г.Г., Узлов К.И., Фалькевич Э.С.
Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния
588
Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Мажирин А.П., Федина Л.И.
Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов P
+
в кремний
596
Гусев Г.М., Квон З.Д., Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Погосов А.Г.
Квантовый перенос в delta-легированных слоях GaAs
601
Адамсон П.В.
О роли фотоактивного поглощения собственной люминесценции в полосковых многопроходных гетероструктурах
608
Кадушкин В.И., Кульбачинский В.А.
Фаза осцилляций магнитокинетических коэффициентов вырожденных двумерных электронов
612
Цэндин К.Д.
Спектры собственных дефектов с отрицательной энергией корреляции в легированных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
617
Бродовой В.А., Воскобойников А.М., Лысенко А.Е., Нелуп В.А.
Акустическая эмиссия биполярных транзисторов в импульсном режиме
624
Покутний С.И.
Размерное квантование электронно-дырочной пары в квазинульмерных полупроводниковых структурах
628
Атакулов Ш.Б., Онаркулов К.Э., Рахманкулов М.Х.
Механизм термической деградации фоточувствительных слоев PbS
633
Рыжий В.И., Хмырова И.И.
Неоднозначность вольт-амперных характеристик биполярных гетеротранзисторов с туннельно-резонансным эмиттером
637
Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Суханов В.Л.
Фрактально-диффузионные p-n-переходы в кремнии
644
Крючков С.В., Сыродоев Г.А.
Влияние термополевой ионизации примесей на проводимость сверхрешетки
655
Бычковский Д.Н., Константинов О.В., Панахов М.М.
Теория "моттовского" плато на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
660
Артамонов В.В., Бачериков Ю.Ю., Лашкевич Е.Г., Нечипорук Б.Д., Садофьев Ю.Г.
Механические напряжения в гетероэпитаксиальном GaAs, выращенном на Si-подложке
670
Гришечкина С.П., Журавлев А.А., Моллманн К.-П., Херрманн К.Х.
Резонансный внутрицентровый переход в теллуриде свинца, легированном галлием
677
Абдуллин Х.А., Мукашев Б.Н., Тамендаров М.Ф.
Исследование рекомбинационно-ускоренного отжига радиационных дефектов в кремнии
684
Касиян А.И., Сур И.В., Балмуш И.И.
Подвижность 2D-электронов при их рассеянии на связанных плазмон-фононных колебаниях
689
Воронков В.П., Вяткин А.П., Кулешов С.М., Муленков С.Ю.
Температурная зависимость вольт-амперных характеристик контактов Pd-GaAs, подвергнутых лазерному отжигу
695
Сысоев Б.И., Агапов Б.Л., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Прокопова Т.В., Фетисова С.В.
Свойства границы раздела InAs-тонкий полуизолирующий слой In
2
S
3
699
Нифтиев Г.М., Тагиев О.Б., Зейналов Э.З., Алиев Б.Д.
Оптические свойства монокристаллов MnGa
2
Se
4
704
Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Кипнис М.М.
Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
708
Акимов А.В., Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Полетаев Н.К., Шофман В.Г.
Экспериментальное наблюдение дырок в n-GaAs, высвободившихся в результате оже-распада локализованных состояний
713
Гавриленко В.И., Калугин Н.Г., Красильник З.Ф., Никоноров В.В., Стариков Е.В., Шикторов П.Н.
Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно деформированном германии
718
Болотов В.В., Стучинский В.А.
Формирование распределений E-центров на границе областей пространственного заряда при отжиге облученных диодов Шоттки
723
Пикус Ф.Г.
Максимальная низкотемпературная подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах с широким спейсерным слоем. Моделирование на ЭВМ
729
Балтрамеюнас Р., Велецкас Д., Нятикшис В., Пятраускас М., Скайстис Э.
Изменение оптических свойств кристаллов кремния в пикосекундном временном диапазоне
736
Крючков С.В.
Увлечение электронов солитонами в сверхрешетке при ионизации примесных центров
740
Чекурин В.Ф.
Пьзорезистивный эффект при динамическом деформировании многодолинных полупроводников
743
Лигер В.В.
Тиристорный эффект в фоточувствительных структурах n-p-n-p на PbTe, созданных методом ионной имплантации
745
Яфясов А.М., Перепелкин А.Д.
Исследование скоростей заполнения квантовых подзон ОПЗ узкощелевых полупроводников (CdHg)Te
748
Чихрай Е.В., Абдуллин Х.А.
К вопросу о повышении разрешающей способности метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней
751
Леднева Е.С.
Спектры фотоэмиссии из металла в p-Ge при низких температурах
753
Бабенцов В.Н., Горбань С.И., Жовнир Г.И., Рашковецкий Л.В.
Поведение остаточной примеси Li в высокоомном теллуриде кадмия при кратковременном отжиге
756
Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Кязимзаде Р.А.
Подвижность электронов в твердых растворах германий-кремний при рассеянии на фононах и беспорядках сплава
760
Вавилов В.С., Водаков Ю.А., Иванов А.И., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Чукичев М.В., Веренчикова Р.Г.
Люминесценция эпитаксиальных слоев 6H-SiC, облученных быстрыми электронами
762
Арутюнян В.М.
Критика и библиография Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимические преобразования солнечной энергии. М., 1990. 176 с.
767
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук