Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2005, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, выпуск 7
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Олейнич-Лысюк А.В., Гуцуляк Б.И., Фодчук И.М.
О природе температурного гистерезиса эффективного модуля сдвига в монокристаллическом кремнии
769
Исаков Г.И.
Рассеяние фононов, управление термоэдс и теплопроводностью в эвтектической композиции полупроводник-металл
772
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А.
Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода
776
Блохин С.А., Смирнов А.Н., Сахаров А.В., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Малеев Н.А., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Бедарев Д.А., Никитина Е.В., Кулагина М.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М.
Исследование механических напряжений в селективно-оксидированных структурах GaAs/(AlGa)
x
O
y
782
Электронные и оптические свойства полупроводников
Савицкий А.В., Парфенюк О.А., Илащук М.И., Уляницкий К.С., Чупыра С.Н., Вахняк Н.Д.
Низкотемпературные нестабильности электрических свойств полуизолирующих кристаллов Cd
0.96
Zn
0.04
Te : Cl
788
Астрова Е.В., Перова Т.С., Грудинкин С.А., Толмачев В.А., Пилюгина Ю.А., Воронков В.Б., Vij J.K.
Исследование ориентации молекул жидкого кристалла E7 в композитах на основе щелевого кремния поляризационными методами инфракрасной спектроскопии и комбинационного рассеяния света
793
Покотило Ю.М., Петух А.Н., Литвинов В.В., Цвырко В.Г.
Водородсодержащие доноры в кремнии --- центры с отрицательной эффективной корреляционной энергией
802
Слынько В.В., Хандожко А.Г., Ковалюк З.Д., Заслонкин А.В., Слынько В.Е., Arciszewska M., Dobrowolski W.D.
Слабый ферромагнетизм в слоистых кристаллах InSe : Mn
806
Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М.
Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl
1-x
Cu
x
GaSe
2
(0=< x=< 0.02) и Tl
1-x
Cu
x
InS
2
(0=< x=< 0.015)
811
Большакова И.А., Бойко В.М., Брудный В.Н., Каменская И.В., Колин Н.Г., Макидо Е.Ю., Московец Т.А., Меркурисов Д.И.
Влияние нейтронного облучения на свойства нитевидных микрокристаллов n-InSb
814
Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М.
Анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект в кристаллах Tl
1-x
Cu
x
GaSe
2
(0=< x=< 0.02)
820
Баxадырханов М.К., Саттаров О.Э., Илиев Х.М., Аюпов К.С., Умайер Туэрди
Отрицательное магнитосопротивление в кремнии, легированном бором и марганцем, стимулированное электрическим полем и светом
823
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Махний В.П.
Особенности физических свойств модифицированной поверхности теллурида кадмия
826
Бочкарева Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Лавринович Д.А., Шретер Ю.Г.
Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN / GaN-светодиодов
829
Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Жаркова Э.А., Терин Д.В., Хасина Е.И.
Свойства структур на основе окисленного пористого кремния при воздействии освещения и газовых сред
834
Низкоразмерные системы
Арутюнян В.А., Арутюнян С.Л., Демирчян Г.О., Петросян Г.Ш.
Оптические переходы в квантованном цилиндрическом слое при наличии однородного электрического поля
839
Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Рыльков В.В.
Неомическая прыжковая квазидвумерная проводимость и кинетика ее релаксации
844
Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Берт Н.А., Устинов В.М.
Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) к кинетическому
853
Кадушкин В.И.
Резонансная модуляция электрон-электронной релаксации квантующим магнитным полем
859
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Терехов В.А., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Кашкаров В.М., Курило О.В., Турищев С.Ю., Голоденко А.Б., Домашевская Э.П.
Исследование локальной электронной и атомной структуры в аморфных сплавах a-Si
x
C
1-x
методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии
863
Кононов Н.Н., Кузьмин Г.П., Орлов А.Н., Сурков А.А., Тихоневич О.В.
Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния
868
Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И., Поп В., Морошану К., Слав А., Волрон Ж.
Магнитные свойства аморфного углерода, модифицированного железом
874
Александрова Е.Л., Гойхман М.Я., Подешво И.В., Кудрявцев В.В.
Светочувствительные свойства и механизм фотогенерации носителей заряда в полимерных слоях, содержащих металлорганические комплексы
880
Физика полупроводниковых приборов
Закгейм Д.А., Смирнова И.П., Рожанский И.В., Гуревич С.А., Кулагина М.М., Аракчеева Е.М., Онушкин Г.А., Закгейм А.Л., Васильева Е.Д., Иткинсон Г.В.
Высокомощные синие флип--чип светодиоды на основе AlGaInN
885
Титков И.Е., Пронин И.П., Машовец Д.В., Делимова Л.А., Линийчук И.А., Грехов И.В.
Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктуры Pb(Zr
x
Ti
1-x
)O
3
/ SnO
2
890
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук