Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2005, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, выпуск 9
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Стародубцев А.А.
Формирование наноструктур в системе Ga
2
Se
3
/ GaAs
1025
Электронные и оптические свойства полупроводников
Ушаков В.В., Клевков Ю.В.
Микрофотолюминесценция нелегированного монокристаллического теллурида цинка, полученного неравновесными парофазными методами
1029
Матвеев О.А., Терентьев А.И., Зеленина Н.К., Гуськов В.Н., Седов В.Е., Томасов А.А., Карпенко В.П.
Точная самокомпенсация проводимости в кристалле Cd
0.95
Zn
0.05
Te : Cl в широком интервале давлений пара Cd
1034
Басалаев Ю.М., Гордиенко А.Б., Поплавной А.С.
Оптические свойства кристаллов ZnGeP
2
в ультрафиолетовой области
1040
Булгаков А.А., Шрамкова О.В.
Неустойчивость дрейфовых волн в двухкомпонентной твердотельной плазме
1043
Брунков П.Н., Гуткин А.А., Чалдышев В.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными кластерами As-Sb
1049
Горбатюк И.Н., Остапов С.Э., Дремлюженко С.Г., Заплитный Р.А., Фодчук И.М., Жихаревич В.В., Дейбук В.Г., Попенко Н.А., Иванченко И.В., Жигалов А.А., Карелин С.Ю.
Исследование свойств Hg
1-x-y-z
Cd
x
Mn
y
Zn
z
Te как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона
1053
Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Федоров М.И., Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Компаниец В.В., Чистяков В.А.
Кинетические коэффициенты n-Bi
2
Te
2.7
Se
0.3
в двузонной модели электронного спектра
1059
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф., Литвин О.С., Мозоль П.Е.
Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера
1064
Давыдов С.Ю., Павлык А.В.
Влияние субмонослойной металлической пленки на величину изгиба зон полупроводниковой подложки
1068
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П., Сергеева О.Н.
Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур на основе пленок Zn
2-2x
Cu
x
In
x
Se
2
, полученных селенизацией
1070
Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Якупов М.Н.
Моделирование особенностей эффекта насыщения дрейфовой скорости в субмикронных кремниевых структурах
1075
Низкоразмерные системы
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И., Лундин В.В., Усиков А.С., Паршин Е.О.
Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN
1080
Игнатенко С.А., Борисенко В.Е.
Спиновой фильтр на квантовом точечном контакте в разбавленном магнитном полупроводнике
1083
Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А.
Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках (100) и (311)A GaAs
1088
Ивановская В.В., Зейферт Г., Ивановский А.Л.
Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки
1093
Покутний С.И.
Экситонные состояния в полупроводниковых сферических наноструктурах
1101
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю.
Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур
1106
Маслов А.Ю., Прошина О.В.
Поляризация оптического излучения поляронного экситона в анизотропных квантовых точках
1111
Физика полупроводниковых приборов
Морозов Д.В., Смирнов К.В., Смирнов А.В., Ляхов В.А., Гольцман Г.Н.
Миллиметровый/субмиллиметровый смеситель на основе разогрева двумерного электронного газа в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с фононным каналом охлаждения
1117
Шерстнев В.В., Монахов А.М., Астахова А.П., Кислякова А.Ю., Яковлев Ю.П., Аверкиев Н.С., Krier A., Hill G.
Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона
1122
Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В.
Структуры полупроводник-диэлектрик в фотомишенях видиконов, чувствительных в средней инфракрасной области спектра
1129
Саченко А.В., Крюченко Ю.В.
О механизме электролюминесценции в кремниевых диодах с большой концентрацией дислокаций
1132
Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В.
Комбинированная модель резонансно-туннельного диода
1138
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme