Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 3
Романовский А.
Преимущества режима переменного тока, наведенного электронным лучом, для определения параметров полупроводника
369
Расулов Р.Я., Сидикова X., Ганиев У.
Теория фотогальванических эффектов в n-GaP
374
Нифтиев Н.Н., Рустамов А.Г., Тагиев О.Б.
Электрические свойства слоистых монокристаллов MnGaInS
4
386
Мякенькая Г.С., Гуцев Г.Л.
Реакции разрушения комплексов дефектов с образованием A-центров в кремнии
391
Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш., Пащук Е.Г., Офицерова Н.В., Авров Д.Д., Садыков С.А.
Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN
402
Матвеев Г.А., Лончаков А.Т.
Неомическая проводимость Ge : Sb вблизи перехода металл-изолятор
409
Басюк Е.В., Дмитрук Н.Л., Маева О.И.
Фоточувствительность поверхностно-барьерных структур на основе InP с микрорельефной границей раздела
415
Баранов А.Н., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
421
Волков Д.А., Фистуль В.И.
Метод расчета энергии связи изовалентных и изоэлектронных примесей в тетраэдрических полупроводниках
431
Рожков В.А., Шалимова М.Б.
Электрическое переключение проводимости с памятью в кремниевых МДП cтруктурах с диэлектриком из фторида эрбия
438
Герчиков Л.Г., Субашиев А.В.
Массы дырочных подзон размерного квантования полупроводниковых гетероструктур разной ориентации
446
Гавалешко Н.Н., Тетеркин В.В., Сизов Ф.Ф., Паранчич С.Ю.
Параметры зонного спектра, электрофизические и магнитные свойства четверных полумагнитных полупроводников HgCdMnTe
459
Голикова О.А., Икрамов Р.Г., Казанин М.М., Мездрогина М.М.
Плотность электронных состояний "собственного" аморфного гидрированного кремния
465
Конорова Л.Ф., Жданович Н.С.
Влияние нейтронного облучения на инфракрасное поглощение в стеклообразном трисульфиде мышьяка
470
Голикова О.А., Икрамов Р.Г., Казанин М.М., Мездрогина М.М.
Фотоиндуцированные дефекты в псевдолегированном a-Si : H
474
Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р.
Влияние примесей переходных металлов на накопление радиационных дефектов в p-кремнии
478
Пахомов А.А., Яссиевич И.Н.
Влияние границы раздела на захват и эмиссию носителей глубокими центрами
482
Кисин М.В.
Феноменологический анализ граничных условий для волновой функции модели Кейна
488
Пожела Ю., Пожела К.
Взаимодействие дрейфующих электронов с оптическими фононами
497
Бабенцов В.Н., Бекетов Г.В., Горбань С.И.
Преобразование системы дефектов вблизи поверхности кристаллов CdTe, Zn
x
Cd
1-x
Te, CdTe
1-x
Se
x
, обработанных ионами аргона
504
Краснов А.Н., Ваксман Ю.Ф., Пуртов Ю.Н.
Диффузия лития в p-ZnSe
511
Мусихин С.Ф., Немов С.А., Прошин В.И., Семин И.Е., Шамшур Д.В., Березин А.В., Имамкулиев С.Д.
Электрофизические свойства пленок (Sn
0.8
Ge
0.2
)
1-x
In
x
Te, полученных методом лазерного напыления
513
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Турсунов И.Г., Химматкулов О.
Динамическая проводимость компенсированного кремния при всестороннем гидростатическом сжатии
516
Кулеев И.Г., Леринман Н.К., Ляпилин И.И., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М.
Почему постоянна подвижность электронов в HgSe : Fe при низких температурах?
519
Портной М.Е.
Деполяризация фотолюминесценции при испускании оптических фононов горячими электронами в квантовых ямах
523
Беляев А.П., Рубец В.П., Тошходжаев X.А., Калинкин И.П.
Инверсия типа проводимости слоя селенида цинка в гетероструктуре In
2
O
3
-ZnSe-(Zn
1-x
Cd
x
Te)
1-y
(In
2
Te
3
)
y
-In
527
Беляев А.П., Рубец В.П., Тошходжаев X.А., Калинкин И.П.
Туннельный эффект как причина тока, ограниченного контактной эмиссией в гетероструктуре In
2
O
3
-ZnSe-(Zn
1-x
Cd
x
Te)
1-y
(In
2
Te
3
)
y
-In
532
Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Прокофьева В.К.
Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-кремнии, легированном цирконием
535
Калинушкин В.П., Юрьев В.А., Мурин Д.И., Плоппа М.Г., Тимо Т.В.
Влияние процесса газофазной эпитаксии на скопления электрически активных дефектов в подложках из GaAs<Cr>
538
РЕЦЕНЗИЯ НА КНИГУ К. ЛИ, М. ШУР, Т. ФЪЕЛДЛИ, Т. ИТТЕРДАЛ "Моделирование полупроводниковых приборов для Сверхбольших Интегральных Схем (СБИС)". Прэнтис Холл, 1993. 603 с.
542
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук